[发明专利]具有肖特基接触终端的快恢复二极管

权利要求书

1.具有肖特基接触终端的快恢复二极管，其元胞结构包括N⁺阴极区（60）、位于N⁺阴极区（60）背面的阴极金属（70）、位于N⁺阴极区（60）上方的N型漂移区（40）、位于N⁺阴极区（60）和N型漂移区（40）之间的N型场缓冲层（50）；所述N型漂移区（40）表面具有元胞P型区（20），元胞P型区（20）表面具有阳极金属（10）；器件终端区的N型漂移区（40）表面距离元胞P型区（20）由近及远地分布有等位环（31）、第一场限环（32）和第二场限环（33）；所述等位环（31）表面具有与之接触的肖特基金属（80），肖特基金属（80）与等位环（31）表面接触方式为肖特基接触；所述等位环（31）与元胞P型区（20）等电位连接，形成器件终端过渡区；所述第一场限环（32）和第二场限环（33）用于改善器件反向阻断时等位环（31）的电场曲率效应，以提高器件终端的耐压能力；所述N型场缓冲层（50）用以截止阻断状态时的电场。

2.根据权利要求1所述的具有肖特基接触终端的快恢复二极管，其特征在于，所述等位环（31）与元胞P型区（20）等电位连接的实现方式为等位环（31）与元胞P型区（20）向接触。

3.根据权利要求1所述的具有肖特基接触终端的快恢复二极管，其特征在于，所述等位环（31）与元胞P型区（20）等电位连接的实现方式是等位环（31）与元胞P型区（20）不相接触，而是肖特基金属（80）与阳极金属（10）相连接。

4.根据权利要求1所述的具有肖特基接触终端的快恢复二极管，其特征在于，所述肖特基接触金属（80）为Cu，或其他功函数在4.6～4.9eV的金属。

5.根据权利要求1所述的具有肖特基接触终端的快恢复二极管，其特征在于，所述具有肖特基接触终端的快恢复二极管的终端结构包括场限环型终端结构、带场板的场限环终端结构、半绝缘多晶硅型终端结构或横向变掺杂型终端结构。