[发明专利]一种超高纯硫酸制造方法无效

专利信息
申请号: 201310180543.1 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN104163403A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 殷福华;朱龙;邵勇 申请(专利权)人: 江阴江化微电子材料股份有限公司
主分类号: C01B17/90 分类号: C01B17/90
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214000 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 硫酸 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明设计一种硫酸的制造方法,具体涉及一种超高纯硫酸的制造方法。

背景技术

湿电子化学品主要应用于集成电路和分立器件、晶体硅太阳能和平板显示等领域的生产制造过程之中,目前现有的湿电子化学品尤其是硫酸的精度不高,纯度无法达到PPT等级,不能适合极大规模集成电路的生产工艺流程。

发明内容

针对以上不足,本发明提供一种极大规模集成电路用的超高纯硫酸的制备方法。本发明的技术方案如下:

一种超高纯硫酸制造方法,所述超高纯硫酸的制作步骤如下:

(1)将工业硫酸经过氧化处理,并进行沉淀分离,澄清硫酸;

(2)将步骤(1)澄清的硫酸反倒入连续精馏处理系统,做电加热连续精馏处理;

(3)将步骤(2)精馏过的硫酸反倒入超净过滤纯净系统做超净过滤、超净分装。

一种超高纯硫酸制造方法,步骤(2)所述加热精馏系统的温度为330℃±10℃。

一种超高纯硫酸制造方法的技术方案中,连续精馏设备为石英为材质。采用连续蒸馏技术,旨在取出硫酸中的金属杂质。

一种超高纯硫酸制造方法的技术方案中,采用超净过滤系统和超净罐装系统,旨在排除二次污染。

与现有技术相比,本发明提供的一种超高纯硫酸的制备方法,其等级达到PPT等级,生产出含量95-97%、金属杂质控制在1PPb以内,完全满足极大规模集成电路的生产制造。

具体实施方式

下面通过实施例描述本发明,但不限于所举实施例。

本发明提供一种极大规模集成电路用的超高纯硫酸的制备方法。本发明的技术方案如下:

一种超高纯硫酸制造方法,其超高纯硫酸的制作步骤如下:

(1)将工业硫酸经过氧化处理,并进行沉淀分离,澄清硫酸;

(2)将步骤(1)澄清的硫酸反倒入连续精馏处理系统,做电加热连续精馏处理;

(3)将步骤(2)精馏过的硫酸反倒入超净过滤纯净系统做超净过滤、超净分装。

一种超高纯硫酸制造方法,其步骤(2)中所述加热精馏系统的温度为330℃±10℃。

一种超高纯硫酸制造方法的技术方案中,连续精馏设备为石英为材质。采用连续蒸馏技术,旨在取出硫酸中的金属杂质。

一种超高纯硫酸制造方法的技术方案中,采用超净过滤系统和超净罐装系统,旨在排除二次污染。

本发明提供的一种超高纯硫酸的制备方法,其等级达到PPT等级,生产出含量95-97%、金属杂质控制在1PPb以内,完全满足极大规模集成电路的生产制造。

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