[发明专利]基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片

权利要求书

1.基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的基体，其特征在于，所述基体的单晶硅层包含狭缝光波导，所述狭缝光波导的光信号传播路径上包含光栅FP腔。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝光波导的狭缝为直狭缝。

3.根据权利要求1所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝光波导的狭缝为垂直于单晶硅层表面由单晶硅层向下刻蚀形成的狭缝。

4.根据权利要求1至3之任一项权利要求所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝光波导的狭缝深度为单晶硅层厚度。

5.根据权利要求1所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述基体俯视方向为长方形，所述狭缝光波导以基体的长度方向的中心线为轴对称分布，并保持方向与基体长度方向一致，其中狭缝槽宽度为80nm～120nm。

6.根据权利要求1所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅FP腔包括第一光栅和第二光栅，第一光栅和第二光栅均刻蚀于狭缝光波导上，所述第一光栅和第二光栅相隔一定的距离d，且第一光栅和第二光栅具有相同的结构，并在狭缝光波导上刻蚀形成光栅FP腔。

7.根据权利要求1、2、3、5和6之任一项权利要求所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述的第一光栅或第二光栅包括不少于3个不多于25个周期单元。

8.根据权利要求7所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的周期为0.3μm～0.6μm之任一值。

9.根据权利要求8所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的占空比为40%～70%之任一值。

10.根据权利要求8或9所述的基于SOI的狭缝光波导光栅FP腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述光栅周期单元的纵向长度占所述基体宽度的比例为70%～100%之任一值。