[发明专利]基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片

权利要求书

1.基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片，包括自下而上依次层叠键合的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层构成的SOI基体，其特征在于，所述SOI基体的单晶硅层包含第一光学谐振腔和第二光学谐振腔，所述第一光学谐振腔与第二光学谐振腔具有不相同的自由光谱范围，二者光学耦合连接，所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔同为微环谐振腔。

2.根据权利要求1所述的基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述的第一光学谐振腔和第二光学谐振腔在空间结构上为层叠状。

3.根据权利要求1所述的基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述生化传感芯片的SOI基体的单晶硅层还包括狭缝光波导，所述狭缝光波导位于第一光学谐振腔和/或第二光学谐振腔的光信号传播路径上。

4.根据权利要求3所述的基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝光波导的狭缝为垂直于单晶硅层表面由单晶硅层向下刻蚀形成的狭缝。

5.根据权利要求3或4所述的基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝光波导的狭缝深度等于单晶硅层厚度。

6.根据权利要求3或4所述的基于游标效应的双微环谐振腔光学生化传感芯片，其特征在于，所述狭缝光波导的狭缝宽度为80nm～120nm。