[发明专利]片状结构、片状结构的制造方法及电子器件

权利要求书

1.一种片状结构，包括：

束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；

覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；

填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间；

其中，所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的。

2.根据权利要求1所述的片状结构，其中，响应于在所述预定方向上给定的形变而提供弹性。

3.根据权利要求1所述的片状结构，其中，所述片状结构的厚度是不一致的，并且

在所述片状结构较厚的部分中所述覆盖层的厚度大于在所述片状结构较薄的部分中所述覆盖层的厚度。

4.根据权利要求1所述的片状结构，其中，所述覆盖层的导热率高于所述束结构的每单位面积的导热率。

5.根据权利要求1所述的片状结构，其中，所述覆盖层的厚度是100nm或更小。

6.根据权利要求1所述的片状结构，其中，所述束结构中所述由碳制成的多个线性结构的表面密度是1×10¹⁰或更大。

7.一种电子器件，包括：

发热构件；

散热构件；以及

片状结构，包括：

束结构，包括取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；

覆盖层，覆盖所述由碳制成的多个线性结构；以及

填充层，设置在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间；

所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的，并且所述片状结构设置在所述发热构件和所述散热构件之间。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述发热构件和所述散热构件之间的距离是不一致的，并且

所述散热构件和所述发热构件之间的距离较长的部分中所述覆盖层的厚度大于所述发热构件和所述散热构件之间的距离较短的部分中所述覆盖层的厚度。

9.一种片状结构的制造方法，包括：

在衬底上形成取向为预定方向的由碳制成的多个线性结构；

形成用于覆盖所述由碳制成的多个线性结构的覆盖层，使得所述覆盖层的厚度在与所述预定方向交叉的方向上是不均匀的；

在被所述覆盖层覆盖的所述由碳制成的多个线性结构之间的间隙中形成填充层；以及

从所述衬底剥离所述由碳制成的多个线性结构。

10.根据权利要求9所述的片状结构的制造方法，其中，在所述覆盖层的形成过程中，布置板以覆盖所述由碳制成的多个线性结构的一部分，并通过原子层沉积来形成所述覆盖层。

11.根据权利要求9所述的片状结构的制造方法，其中，在所述由碳制成的多个线性结构的形成过程中，所述由碳制成的多个线性结构形成为提供一没有在所述衬底上形成所述线性结构的区域，以及

在所述覆盖层的形成过程中，通过使用原子层沉积来形成所述覆盖层。

12.根据权利要求11所述的片状结构的制造方法，其中，在所述由碳制成的多个线性结构的形成过程中，所述由碳制成的多个线性结构形成在所述衬底上，并且将所述由碳制成的多个线性结构的一部分从所述衬底移除。

13.根据权利要求9所述的片状结构的制造方法，其中，在所述覆盖层的形成过程中，所述覆盖层形成为使得包括形成在所述衬底上的所述由碳制成的多个线性结构的束结构响应于施加在所述预定方向上的外力而具有弹性。