[发明专利]半导体结构、具有其的半导体器件和用于制造其的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一单晶半导体部分，在参考方向上具有第一晶格常数；

处于所述第一单晶半导体部分上的第二单晶半导体部分，在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；以及

金属层，在所述第二单晶半导体部分上形成并与所述第二单晶半导体部分相接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一单晶半导体部分和所述第二单晶半导体部分由相同半导体材料制成。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一单晶半导体部分和所述第二单晶半导体部分由Si制成，以及其中，所述第一单晶半导体部分在所述参考方向上具有<100>晶格定向，并且所述第二单晶半导体部分在所述参考方向上具有<111>晶格定向。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属层包括单个金属层和金属合金层中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属层至少包括铝或铝合金。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二单晶半导体部分具有约0.5 μm与约5 μm之间的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二单晶半导体部分与所述第一单晶半导体部分直接接触。

8.一种半导体器件，包括：

半导体本体，包括：

       第一单晶半导体部分，在参考方向上具有第一晶格常数；

       处于所述第一单晶半导体部分上的第二单晶半导体部分，在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数；

       至少一个pn结，在所述第一单晶半导体部分中形成；

       以及

金属层，在所述第二单晶半导体部分上形成并与所述第二单晶半导体部分欧姆接触。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一单晶半导体部分包括第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，并且所述第二单晶半导体部分具有所述第一导电类型的掺杂区，其中，所述第一单晶半导体部分的第一掺杂区与所述第二单晶半导体部分的掺杂区直接接触。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是双极型器件，其包括第一导电类型的阴极区和第二导电类型的阳极区，其中，所述至少一个pn结是在所述阳极区与所述阴极区之间形成的，以及其中，所述第二单晶半导体部分与所述阴极区直接接触并具有与所述阴极区相同的导电类型。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是双极型器件，其包括第一导电类型的源极区、与所述源极区相接触的第二导电类型的本体区、与所述本体区相接触的所述第一导电类型的漂移区和所述第二导电类型的发射极区，其中，所述第二单晶半导体部分与所述发射极区直接接触并具有与所述发射极区相同的导电类型。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述半导体器件是单极型器件，其至少包括第一导电类型的源极区、与所述源极区相接触的第二导电类型的本体区、与所述本体区相接触的所述第一导电类型的漂移区和所述第一导电类型的漏极区，其中，所述第二单晶半导体部分与所述漏极区直接接触并具有与所述漏极区相同的导电类型。

13.一种用于制造半导体结构的方法，包括：

提供在参考方向上具有第一晶格常数的第一单晶半导体部分；

在所述第一单晶半导体部分上形成在所述参考方向上具有与所述第一晶格常数不同的第二晶格常数的第二单晶半导体部分；以及

在所述第二单晶半导体部分上且与所述第二单晶半导体部分相接触地形成金属层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一单晶半导体部分和所述第二单晶半导体部分由相同半导体材料制成。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二单晶半导体部分是与所述第一单晶半导体部分直接接触地形成的。