[发明专利]一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件及其制作工艺在审
申请号: | 201310181623.9 | 申请日: | 2013-05-16 |
公开(公告)号: | CN103325753A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 马利;郭小伟;朱文辉;钟环清;谌世广 | 申请(专利权)人: | 华天科技(西安)有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
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地址: | 710018 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 框架 csp 封装 背面 塑封 及其 制作 工艺 | ||
1.一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件,其特征在于:所述封装件主要由一次塑封体(6)、二次塑封体(9)、键合线(5)、Bump引脚(4)、芯片(3)、铜板(1)、锡球(7)、粘片胶(2)组成;所述芯片(3)与铜板(1)通过粘片胶(2)相连,铜板(1)植有Bump引脚(4),键合线(5)直接从芯片(3)打到Bump引脚(4)上;一次塑封体(6)和二次塑封体(9)包围了粘片胶(2)、芯片(3)、Bump引脚(4)、键合线(5)、锡球(7),并构成了电路的整体,芯片(3)、键合线(4)、Bump引脚(5)和锡球(7)构成了电路的电源和信号通道。
2.一种基于无框架CSP封装背面植球塑封封装件的制作工艺,其特征在于:主要按照以下步骤进行:
(1)、晶圆减薄:减薄厚度50μm~200μm,粗糙度Ra 0.10mm~0.05mm;
(2)、划片:150μm以上晶圆同普通QFN划片工艺,但厚度在150μm以下晶圆,使用双刀划片机及其工艺;
(3)、上芯(粘片):采用粘片胶(2)上芯;
(4)、压焊:先使用粗线径键合丝在铜板(1)上植入Bump作为引脚,再使用常规键合丝在芯片(3)与Bump引脚(4)之间键合连接;
(5)、一次塑封:用一次塑封体(6)作为传统塑封料进行塑封;
(6)、铜片蚀刻:使用三氯化铁溶液及微蚀液,蚀刻完所有铜板(1);
(7)、丝网印刷、回流焊工艺:同常规工艺;
(8)、背面贴膜:同框架贴膜工艺,在一次塑封体(6)背面锡球(7)表面贴胶膜(8),保护住表面锡球(7);
(9)、二次塑封:在一次塑封体(6)与锡球(7)表面的胶膜(8)之间进行注塑二次塑封体(9),实现二次塑封;
(10)、后固化、磨胶、锡化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规QFN工艺相同。
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