[发明专利]一种具有导电性能的复合陶瓷层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310181678.X 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN103233227A 公开(公告)日: 2013-08-07
发明(设计)人: 徐晋勇;石小超;蒋占四;张应红;高鹏;唐亮;高成;周逸群;刘栋 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C23C28/04 分类号: C23C28/04
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 杨雪梅
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 导电 性能 复合 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有导电性能的复合陶瓷层的制备方法,其特征是:包括以下步骤:

(1)将基材经冷加工处理,在其上切取试样;

(2)对切取的试样表面进行前处理:砂纸打磨→自来水清洗→丙酮清洗→去离子水清洗→吹干;

(3)放置到微弧氧化装置中进行微弧氧化处理,制备一层陶瓷层;

(4)将微弧氧化后的试样进行超声波清洗;

(5)在磁控溅射装置中沉积氮化钛涂层,实现复合陶瓷层具有导电性能;

(6)清洗并干燥,获得具有导电性能的复合陶瓷层。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:步骤(3)所述的微弧氧化装置为恒定电流供电,采用恒流的方法处理15 ~100min,膜的厚度为30 ~100μm;电解液溶度及电参数范围为:偏铝酸钠10 ~ 20g/L,氢氧化钠0.5 ~ 4g/L,六偏磷酸钠5 ~18g/L,电流密度为8 ~25A/dm2,频率200 ~ 700HZ,正负脉冲数了5∶2,占空比为5 ~ 40%。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:步骤(5)所述的磁控溅射镀的工艺参数为:真空度为10-5 ~ 10-4Pa,通入氩气至1 ~ 35 Pa,用-500 ~ -1500V的偏压清洗陶瓷层10 ~ 50 min;沉积温度:室温 ~ 400℃,沉积气压为0.5 ~ 10Pa,沉积偏压为-100 ~ -300V,沉积时间为20 ~ 90min。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征是:所述基材为AL、Mg、Ti轻金属材料中任意一种。

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