[发明专利]一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀方法。

背景技术

传统上，IC芯片与外部的电气连接是用金属引线以键合的方式把芯片上的I/O连至封装载体并经封装引脚来实现。随着IC芯片特征尺寸的缩小和集成规模的扩大，I/O的问距不断减小、数量不断增多。当I/O间距缩小到70μm以下时，引线键合技术就不再适用，必须寻求新的技术途径。

圆片级封装技术利用薄膜再分布工艺，使I/O可以分布在IC的整个表面上，而不再仅仅局限于窄小的IC芯片的周边区域，从而解决了高密度、细间距I/O芯片的电气连接问题。

现有的封装技术中，电镀微凸点时，侧向钻蚀（undercutting）很严重，当微凸点节距越来越小时，微凸点的可靠性就会出现问题，微凸点的自身强度和良率就会下降。由于会出现侧向钻蚀问题，所以在进行种子层刻蚀时，刻蚀液的选择和刻蚀工艺的控制就会受到限制。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明解决的技术问题是提供一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀方法，以提高微凸点加工制造的可靠性和良品率。

为解决上述的技术问题，本发明的技术方案是这样实现的：

一种微凸点的形成方法，包括：

s1、在半导体基底上形成焊盘；

s2、在焊盘及半导体基底表面形成介质层，所述的介质层上开设有窗口，所述的窗口与焊盘对应；

s3、在介质层及焊盘的表面形成种子层；

s4、在所述种子层表面电镀形成微凸点；

s5、在微凸点周围一定距离内的种子层上形成阻挡层,所述的一定距离满足：经步骤s6的刻蚀后，种子层的端部恰好与微凸点的边缘对齐或位于微凸点的外部；

s6、刻蚀未被阻挡层覆盖的种子层；

s7、回流焊料。

优选的，在上述的微凸点的形成方法中，所述的步骤s5具体包括：在微凸点和种子层的表面形成阻挡层，图形化所述阻挡层，并使得留下的阻挡层至少覆盖于微凸点周围一定距离内的种子层上。

优选的，在上述的微凸点的形成方法中，所述图形化阻挡层采用光刻工艺进行，通过光刻保留微凸点上方的阻挡层以及微凸点周围一定距离内的阻挡层，此时所述阻挡层的材质为光敏材料，所述的步骤s7中，还包括去除阻挡层的步骤。

优选的，在上述的微凸点的形成方法中，所述图形化阻挡层采用干法刻蚀工艺进行，通过干法刻蚀只保留微凸点周围一定距离内的阻挡层，此时所述阻挡层的材质为聚合物材料。

优选的，在上述的微凸点的形成方法中，所述的聚合物材料为PI（聚酰亚胺）或PBO（聚苯并嚼唑）。

优选的，在上述的微凸点的形成方法中，所述的半导体基底上还形成有一层绝缘层，所述的焊盘位于该绝缘层上。

优选的，在上述的微凸点的形成方法中，所述的绝缘层材质选自氧化硅或碳化硅。

优选的，在上述的微凸点的形成方法中，所述的微凸点为铜锡微凸点。

相应地，本发明还公开了一种微凸点制造过程中防止微凸点侧向钻蚀的封装结构，半导体基底上有一层绝缘层，绝缘层上制备有金属焊盘，金属焊盘上电镀一层种子层，种子层上制备有微凸点，在微凸点周围的种子层之上覆盖刻蚀阻挡层，被所述刻蚀阻挡层覆盖的种子层在经过刻蚀后其端部恰好与微凸点的边缘对齐或位于微凸点的外部。

与现有技术相比，本发明提出通过在微凸点周围的种子层上覆盖一层刻蚀阻挡层，这样在进行种子层刻蚀时，可以保护其下面的种子层免受刻蚀，从而防止出现侧向钻蚀的现象。提高微凸点加工制造的可靠性和良品率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a～图1l所示为本发明第一实施例中形成微凸点的结构示意图；

图2所示为本发明具体实施例中形成微凸点的流程示意图；

图3所示为本发明第二实施例中通过干法刻蚀对阻挡层刻蚀后的结构示意图；

图4所示为本发明第二实施例中对种子层刻蚀后的结构示意图；

图5为所示为本发明第三实施例中形成的阻挡层的结构示意图；

图6所示为本发明第三实施例中阻挡层被刻蚀后的结构示意图。

具体实施方式