[发明专利]半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法

权利要求书

1.一种半色调相移掩模坯料，其特征在于，

在半色调相移膜上设置有单层结构或多层结构的遮光膜，

所述遮光膜具备至少一层由铬系材料构成的层，

所述由铬系材料构成的层中的至少一层由含有锡的铬系材料构成。

2.如权利要求1所述的半色调相移掩模坯料，其中，所述含有锡的铬系材料中锡的含量相对于铬的含量以原子比计为0.01倍以上且2倍以下。

3.如权利要求1或2所述的半色调相移掩模坯料，其中，所述遮光膜的所有层由铬系材料构成。

4.如权利要求1或2所述的半色调相移掩模坯料，其中，

所述铬系材料为铬金属、氧化铬、氮化铬、碳化铬、氮氧化铬、碳氧化铬、碳氮化铬、碳氮化氧化铬中的任意一种，

所述含有锡的铬系材料为锡-铬金属、锡-氧化铬、锡-氮化铬、锡-碳化铬、锡-氮氧化铬、锡-碳氧化铬、锡-碳氮化铬、锡-碳氮化氧化铬中的任意一种。

5.如权利要求1或2所述的半色调相移掩模坯料，其中，所述半色调相移膜由能够通过氟类干蚀刻进行蚀刻加工的材料构成。

6.如权利要求5所述的半色调相移掩模坯料，其中，所述能够通过氟类干蚀刻进行蚀刻加工的材料为含有过渡金属的硅系材料。

7.如权利要求6所述的半色调相移掩模坯料，其中，所述硅系材料含有钼和硅，并且含有作为轻元素的氮和氧中的至少一种。

8.如权利要求1或2所述的半色调相移掩模坯料，其中，

在所述遮光膜上具备硬掩模膜，

该硬掩模膜对含氧的氯类干蚀刻具有蚀刻耐性。

9.如权利要求8所述的半色调相移掩模坯料，其中，所述硬掩模膜含有硅，并且含有作为轻元素的氮和氧中的至少一种。

10.一种半色调相移掩模的制造方法，其为使用权利要求1、2、6、7、9中任一项所述的坯料的半色调相移掩模的制造方法，具备：

通过含氧的氯类干蚀刻对由所述含有锡的铬系材料构成的层进行蚀刻加工的工序；和

通过氟类干蚀刻对所述半色调相移膜进行蚀刻加工的工序。