[发明专利]形成间隔物图案掩模的方法

权利要求书

1.一种形成间隔物图案掩模的方法，包括下列步骤：

提供衬底并在衬底上依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模；

对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案，在该中间图案中芯膜和第一硬掩模的条宽根据最终的间隔物图案掩模之间的间隔来确定；

沉积间隔物图案掩模，以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模；

以中间图案中的第一硬掩模为停止层对间隔物图案掩模进行平坦化；

对平坦化后的间隔物图案掩模进行回刻蚀，回刻蚀的量根据最终的间隔物图案掩模的宽度来确定；

沉积第二硬掩模；

对第二硬掩模进行干法刻蚀，以露出回刻蚀后的间隔物图案掩模，剩下的第二硬掩模之间的间隔根据最终的间隔物图案掩模之间的间隔来确定；

对露出的间隔物图案掩模进行干法刻蚀，以形成间隔物图案；

去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模；以及

去除中间图案中的芯膜，从而得到最终的间隔物图案掩模。

2.如权利要求1所述的方法，其中，通过CVD或者炉管工艺沉积包括氧化硅的界面层，界面层的厚度为

3.如权利要求1所述的方法，其中，芯膜包括硅膜或无定形碳，通过CVD沉积包括无定形碳的芯膜。

4.如权利要求1所述的方法，其中，通过炉管工艺沉积第一硬掩模，通过ALD或CVD沉积第二硬掩模，沉积的第二硬掩模和第一硬掩模的材料和厚度均相同，所述材料包括氮化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其中，中间图案中的芯膜和第一硬掩模的节距为最终的间隔物图案掩模的节距的两倍或者中间图案中的芯膜和第一硬掩模的间隔等于最终的间隔物图案掩模的间隔。

6.如权利要求1所述的方法，其中，通过ALD或CVD沉积包括氧化硅的间隔物图案掩模，沉积的间隔物图案掩模的厚度大于中间图案中的芯膜与第一硬掩模的厚度之和。

7.如权利要求1所述的方法，其中，采用CMP进行平坦化。

8.如权利要求1所述的方法，其中，使用湿法剥离技术对间隔物图案掩模进行回刻蚀，使得回刻蚀后的间隔物图案掩模低于中间图案中的第一硬掩模的底部或与中间图案中的第一硬掩模的底部齐平。

9.如权利要求1所述的方法，其中，对第二硬掩模进行干法刻蚀，使得剩下的第二硬掩模之间的间隔等于最终的间隔物图案掩模之间的间隔。

10.如权利要求1所述的方法，其中，利用湿法刻蚀去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模。

11.如权利要求1所述的方法，其中，利用干法剥离去除包括无定形碳的芯膜，而利用湿法化学剥离工艺去除包括硅膜的芯膜，干法剥离包括采用N₂/H₂/SO₂/CO/CO₂/O₂且无F的气氛进行灰化处理。

12.如权利要求1所述的方法，其中，在回刻蚀期间，中间图案中的芯膜和第一硬掩模不被刻蚀。

13.如权利要求1所述的方法，其中，在对第二硬掩模进行干法刻蚀期间，回刻蚀后的间隔物图案掩模和中间图案中的第一硬掩膜不被刻蚀。

14.如权利要求1所述的方法，其中，沉积的第二硬掩模覆盖回刻蚀后的间隔物图案掩模与中间图案中的芯膜和第一硬掩模。