[发明专利]一种等离子体处理腔室及其基台

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室的基台，其中基片被夹持于所述基台中的静电卡盘之上，所述静电卡盘下方还包括若干冷却液通道，所述基台包括第一绝缘层，所述第一绝缘层中内嵌有夹持电极，在所述第一绝缘层以下包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层中内嵌有加热装置，其特征在于：所述第二绝缘层以下设置有散热层，在所述散热层以下设置有粘接层，所述粘结层中间区域较边缘区域厚，在所述粘接层的边缘区域下方设置有补偿层。

2.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述粘结层的中间区域占所述粘结层横向面积达60%以上。

3.根据权利要求2所述的基台，其特征在于，所述补偿层在垂直方向上和所述粘结层的中间区域有重叠。

4.根据权利要求3所述的基台，其特征在于，所述补偿层距离所述粘结层的边缘区域的距离取值范围为5mm～10mm。

5.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述散热层的材料为陶瓷或金属。

6.根据权利要求5所述的基台，其特征在于，所述散热层的厚度取值范围为1mm～5mm。

7.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述粘结层的边缘区域的宽度取值范围为1mm～3mm。

8.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述粘结层的材料为硅胶。

9.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述粘结层的中间区域的厚度取值范围为1mm～6mm。

10.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述补偿层是中空的或者填充有硅胶。

11.根据权利要求1所述的基台，其特征在于，所述补偿层位于所述若干冷却液通道之上。

12.一种等离子体处理腔室，其特征在于，所述等离子体处理腔室包括权利要求1至11所述的基台。