[发明专利]一种OGS电容式触摸屏的制作方法

说明书

技术领域

    本发明涉及电子元器件领域，特别涉及一种OGS电容式触摸屏的制作方法。

背景技术

电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单，是当前显示触控技术发展的主流方向。电容触摸屏的触摸感应部件一般为多个行电极、列电极相互交错形成的感应矩阵，行电极和列电极设置在一片基板的同一面上。而新一代的OGS产品是电容式触摸屏的新的发展方向，从技术层面来看，OGS技术较之目前主流的G/G触控技术结构简单,轻、薄、透光性好；由于省掉一片玻璃基板以及贴合工序,利于降低生产成本、提高产品良率。但在实际的研发生产过程中，由于还没找到一种很好的测量短路的方法，在一旦sensor制作形成短路后，一直需要到和FPC热压完电测时，才能知道有短路点的存在，而在寻找短路点的过程中，需人工在显微镜下慢慢寻找，找到后再通过激光修补机进行修复，在这过程中使用人工较多，且效率低，是生产过程的瓶颈部分。针对上述问题进行检索，尚未发现有效的解决方案。

发明内容

本发明的目的就是针对现有的sensor感应线路设计在生产过程中存在的缺陷，提供一种OGS电容式触摸屏的制作方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

本发明的技术方案是：

一种OGS电容式触摸屏的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

（1）、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度：0.01~0.5Pa，温度：220~350℃，ITO薄膜层的厚度5nm~25nm；

（2）、涂布光刻胶，将真空溅射的ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度1000~2000nm，均匀性10%以内，预烘温度：60~100℃；

紫外光波长：365nm，光通量：100mj，距离基板的尺寸100微米；

（3）、在光刻胶上光刻ITO电极图形，ITO电极图案的光罩是菲林或走线铬版，对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：紫外光波长：365nm，光通量：60~150mj，光罩距离基板的尺寸20微米~200微米；

（4）、对光刻胶显影并硬化，形成电极图形，采用有机碱，浓度1~4%，或者NaOH，浓度0.1~0.8%，温度：20~40℃，时间20秒~300秒，硬化温度：80~120℃，时间20~50分钟；

（5）、蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料：HCL15%+HNO3 6%，温度：40~60℃，时间：300~500秒；

（6）、去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料：有机溶液（以二甘醇丁醚（85%）和已醇胺按(15%)），时间5分钟内，最后用纯水漂洗；

（7）、将整张大块基板进行切割裂片，并做CNC得到设计需要的成品sensor；

（8）、对切割裂片好的sensor进行ACF贴附，用ACF贴附机在sensor上均匀的黏上ACF，压力：0.10~0.13MPa，温度：80~120℃，时间：2~3秒；

（9）、将已贴附ACF的sensor运用热压机与FPC进行热压操作，压力：0.16~0.23MPa，温度：200~250℃，时间：10~15秒；

（10）、将热压好的成品运用电测软件和电测装置电测，判断是否为良品，并将良品进行装饰包装。

所述的一种OGS电容式触摸屏的制作方法，其特征在于，所述的电测装置包括有电脑、电测板，电测软件安装于电脑中，电脑通过连接线与电测板连接，电测板通过转接口与sensor上的FPC连接。

本发明的优点在于：

通过本发明的方法可以在制作出ITO层图形时，在AA区域不会出现两个电极之间相互短路的现象，提高生产效率，降低人工成本，打通流程上的瓶颈问题。

附图说明：

图1是本发明对成品电测的示意图。

 具体实施方式：

 一种OGS电容式触摸屏的制作方法，包括以下步骤：

第一步：在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度：0.1Pa，温度：250℃，ITO薄膜层的厚度5nm~25nm；

第二步：在ITO薄膜层上涂布光刻胶，用辊轮或旋转涂布，光刻胶厚度：1um，均匀性10%以内，预烘温度：80℃；

第三步：在光刻胶上光刻电极图形，紫外光波长：365nm，光通量：100mj，ITO电极图案的光罩是菲林或铬版，距离基板的尺寸100微米；