[发明专利]一种氮化硅涂层医用镁合金材料及制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅涂层医用镁合金材料，其特征在于：由镁合金基材和在其表面附有的氮化硅涂层构成。

2.一种如权利要求1所述氮化硅涂层医用镁合金材料是制备方法，其特征在于步骤如下：

1）将镁合金试样打磨、抛光、除油后，进行喷砂处理以去除表面氧化皮、增加表面粗糙度和涂层和增强镁合金基体与涂层接合的牢固度；

2）将经上述处理后的镁合金试样采用射频等离子体增强化学气相沉积法或粒子束沉积法，在镁合金试样表面制备氮化硅陶瓷涂层。

3.根据权利要求2所述氮化硅涂层医用镁合金材料是制备方法，其特征在于：所述射频等离子体增强化学气相沉积法的工艺参数为：将镁合金试样放入射频等离子体增强化学气相沉积设备的内腔沉积室中，系统抽至真空度为1×10^-4-1×10^-5Pa，以SiH₄和NH₃或N₂混合气为反应气源，沉积温度为150-450℃、射频功率为80-400W的条件下，沉积时间为10s-60min，冷却后在合金表面制得氮化硅陶瓷涂层。

4.根据权利要求2所述氮化硅涂层医用镁合金材料是制备方法，其特征在于：所述SiH₄和NH₃或N₂混合气中SiH₄的流量为10-100sccm；SiH₄和NH₃或N₂流量比l：0.2-1。

5.根据权利要求2所述氮化硅涂层医用镁合金材料是制备方法，其特征在于：所述粒子束沉积法的工艺参数为：将镁合金试样放入粒子束沉积设备中，以块状氮化硅作为靶材，在真空度为1×10^-5Pa下，用氩离子轰击后再高温热处理，氩离子轰击电压为10-100KeV，氩离子的密度为（1-5）×10¹⁶ions/cm³，热处理温度为200-450℃，热处理时间为2-12h。