[发明专利]用于高电压应用的静电放电保护

说明书

技术领域

本发明一般关于一种静电放电(静电释放)电路。更详细地，本发明是关于可用于高电压应用的静电释放保护。

背景技术

由静电荷所产生的静电放电(静电释放)通常具有快速瞬态高压放电的特色。静电释放事件可发生在电气及电子电路中，例如集成电路。静电释放事件可制造足够的高电压而对其所连接的装置造成破坏性的损害，例如该集成电路的输入及/或输出。

因此，一种整合于集成电路中的静电释放保护电路，以在静电释放事件中有效保护敏感的输入及/或输出电路是想要的。

发明内容

本发明呈现一种静电释放模块。该静电释放模块包含静电释放电路，耦合于第一源极以及第二源极之间；触发电路，用于激活该静电释放电路，以在该第一及第二源极间提供低电阻电流路径，该触发电路包括：反向二极管，位于该第一源极以及该静电释放电路之间，或是位于该第二源极以及主要静电释放电路之间；以及其中，该触发电路提供低触发电压，以激活该静电释放电路。

在其它实施例中揭露一种装置。该装置包含基板，制作有静电释放区域于其中，该静电释放区域包括静电释放模块，其中，该静电释放模块包括：静电释放电路，其耦合于第一源极以及第二源极之间；以及触发电路，用于激活该静电释放电路，以于该第一及第二源极间提供低电阻电流路径，该触发电路包括：反向二极管，位于该第一源极以及该静电释放电路之间，或是该第二源极以及主要静电释放电路之间；以及其中，该触发电路提供低触发电压，以激活该静电释放电路。

本发明提供一种制造装置的方法。该方法包含提供基板；形成静 电释放区域于该基板中，该静电释放区域包括静电释放模块，其中，该静电释放模块包括：静电释放电路，耦合于第一源极以及第二源极之间；以及触发电路，用于激活该静电释放电路，以于该第一及第二源极间提供低电阻电流路径，该触发电路包括：反向二极管，位于该第一源极以及该静电释放电路之间，或是该第二源极以及主要静电释放电路之间；并且其中，该触发电路提供低触发电压，以激活该静电释放电路。

本发明的其它态样，其优点以及新颖特征，将在以下内容中阐述，并在本领域具有通常知识者经由阅览以下内容或经实作本发明而理解后变得清楚明白。此外，须明白的是在此所述各种实施例的特征并非互相排除，并可存在各种组合与排列中。

附图说明

在图标中，相似的参考符号通常在不同图标中用来表示相同部份。而且，该图标并不一定是按照比例所绘制，反之通常在绘制时会强调本发明的概念。本发明之各种态样将通过以下本发明不同实施例的参考附图配合详细说明变得清楚明白，其中：

图1表示装置的实施例中的部份简化方块图；

图2表示静电释放电路的实施例；以及

图3表示静电释放电路实施例的电路图。

符号说明

100 装置104第一源极

108 第二源极/低电力源/低电源轨110静电释放模块

120 静电释放电路124第一静电释放端子

128 第二静电释放端子130触发电路

134 第一触发器138第二触发器

200 装置201半导体基板

220 静电释放电路234第一触发器

238 第二触发器240第一部分

242 第一部分(第一部份)阱252第一第一部份接触 区域

254 第二第一部份接触区域256第三第一部份接触区域

260 第二部份262第二部份(第二部份)阱

272 第一第二部份接触区域274第二第二部份接触区域

276 第三第二部份接触区域300寄生电路

303 低电阻电流路径。

具体实施方式

本发明的实施例一般关于半导体装置。在一个实施例中，该装置包含静电释放(ESD)电路。该静电释放电路，举例而言，可在静电释放事件期间激活从而对静电释放电流进行放电。该装置可以是任何一种半导体装置，例如集成电路。在一个实施例中，该装置是内存集成电路(IC)。举例而言，内存集成电路可以是非挥发(NVM)内存集成电路。在其它实施例中，该装置可包含非挥发模块以及其它模块。也可使用其它种集成电路。该集成电路可合并或用于电子产品，例如计算机、手机以及个人数码助理(PDAs)。该装置也可合并至其它种产品中。