[发明专利]有机发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201310187330.1 | 申请日: | 2013-05-20 |
公开(公告)号: | CN103426902A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 许晶行;李在万;申政均;曹贵正;安昭妍 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光装置,所述有机发光装置包括:
第一电极和第二电极,其在基板上形成为彼此相对;以及
有机层,其包括顺序地层叠在所述第一电极和所述第二电极之间的空穴注入层、第一空穴传输层、混合层、第二空穴传输层、发光层和电子传输层,
其中,所述混合层由用于形成所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层的材料形成并且设置在所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一空穴传输层由用以下的公式1表达的胺衍生物形成,其中R1≠R2≠R3,并且R1、R2和R3构成芳香环:
公式1
3.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第二空穴传输层由具有10-7至10-5cm2/Vs的空穴迁移率的呋喃或噻吩衍生物形成。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述第一空穴传输层具有至的厚度,并且所述第二空穴传输层具有至的厚度。
5.根据权利要求1所述的有机发光装置,其中所述混合层具有至的厚度。
6.一种有机发光装置,所述有机发光装置包括:
第一电极和第二电极,其在基板上形成为彼此相对;
第一堆叠,其形成在所述第一电极上,并且包括顺序地层叠的空穴注入层、第一空穴传输层、第一混合层、第二空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层;
第二堆叠,其形成在所述第一堆叠和所述第二电极之间,并且包括顺序地层叠的第三空穴传输层、第四空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层;以及
电荷产生层,其形成在所述第一堆叠和所述第二堆叠之间,以控制所述第一堆叠和所述第二堆叠之间的电荷平衡,
其中所述第一混合层包括用于形成所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层的材料,并且设置在所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层之间。
7.根据权利要求6所述的有机发光装置,该有机发光装置还包括第二混合层,所述第二混合层由用于形成所述第三空穴传输层和所述第四空穴传输层的材料形成,并且设置在所述第三空穴传输层和所述第四空穴传输层之间。
8.根据权利要求6所述的有机发光装置,其中所述第一空穴传输层由用以下的公式1表达的胺衍生物形成,其中R1≠R2≠R3,并且R1、R2和R3构成芳香环:
公式1
9.根据权利要求6所述的有机发光装置,其中所述第二空穴传输层由具有10-7至10-5cm2/Vs的空穴迁移率的呋喃或噻吩衍生物形成。
10.根据权利要求6所述的有机发光装置,其中所述第一空穴传输层具有至的厚度,并且所述第二空穴传输层具有至的厚度。
11.根据权利要求6所述的有机发光装置,其中所述第一混合层具有至的厚度。
12.一种制造有机发光装置的方法,所述方法包括:
在基板上形成第一电极;
通过在所述第一电极上顺序地层叠空穴注入层、第一空穴传输层、第一混合层、第二空穴传输层、第一发光层和第一电子传输层,来形成第一堆叠;
通过在所述第一堆叠的所述第一电子传输层上顺序地层叠n型电荷产生层和p型电荷产生层,来形成电荷产生层;以及
通过在所述p型电荷产生层上顺序地层叠第三空穴传输层、第四空穴传输层、第二发光层和第二电子传输层,来形成第二堆叠,
其中通过共沉积用于形成所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层的材料以混合所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层的所述材料,来形成所述第一混合层。
13.根据权利要求12所述的方法,其中形成所述第二堆叠的步骤还包括:通过在所述第三空穴传输层和所述第四空穴传输层之间共沉积用于形成所述第三空穴传输层和所述第四空穴传输层的材料以混合所述第三空穴传输层和所述第四空穴传输层的材料,来形成第二混合层。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一空穴传输层由用以下的公式1表达的胺衍生物形成,其中R1≠R2≠R3,并且R1、R2和R3构成芳香环:
公式1
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310187330.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的