[发明专利]射频LDMOS器件的边缘隔离结构及制造方法

权利要求书

1.一种射频LDMOS器件边缘隔离结构，P型掺杂隔离环区环绕包围有源区；在有源区中，多个源区和漏区交替间隔排列，且源区和漏区之间的沟道区上具有多晶硅栅极，源区上覆盖第一金属层并通过接触孔相互连接，漏区上具有第二金属层并通过接触孔相互连接，第二金属层跨过隔离环区，将漏极引出隔离环区之外，所述的边缘隔离结构，其特征在于：

连接源区的第一金属层向第二金属层将漏极引出的引出方向上延伸，并位于隔离环区与第二金属层之间，且相邻的第一金属层连接在一起，将隔离环区与第二金属层隔离。

2.如权利要求1所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构，其特征在于：所述的隔离环区为P型高掺杂隔离区，掺杂浓度为1x10¹⁴/CM^-3以上。

3.如权利要求1所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构，其特征在于：所述的连接源区的第一金属层接地，在第二金属层和隔离环区的交界区域形成隔离。

4.如权利要求1所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于：包含：

第1步，定义场氧化区域；

第2步，定义隔离环区，在场氧化层内部定义一个隔离环区，包围整个有源区；

第3步，在隔离环区内的有源区分别注入形成源区及漏区，制作多晶硅栅极，形成器件；

第4步，制作第一金属层，并通过接触孔连接源区；第一金属层同时盖住后续第二金属层跨过隔离环区的交界区域，形成第二金属层与隔离环区之间的隔离；

第5步，淀积金属层间介质；

第6步，制作第二金属层，通过接触孔连接漏区，第二金属层将漏区引出隔离环区外。

5.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于：所述第1步中，实现半等平面的场氧化工艺，场氧的厚度为

6.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于：所述第2步中，隔离环区的环宽度为3～5μm，包围整个有源区；隔离环区采用硼离子注入，注入能量为300～500KeV,浓度为2x1014/CM^-3以上。

7.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于：所述第4步中，第一金属层的厚度为

8.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于：所述第5步中，金属层间介质的厚度为

9.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于：所述第6步中，第二金属层的厚度为3～4μm。