[发明专利]多层衬底

权利要求书

1.一种集成电路的衬底，包括：

器件晶圆，具有原载流子浓度；以及

第一外延层，设置在所述器件晶圆的上方，所述第一外延层具有第一载流子浓度，

其中，所述第一载流子浓度高于所述原载流子浓度。

2.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述第一载流子浓度是所述原载流子浓度的1.25倍到2.25倍。

3.根据权利要求1所述的衬底，进一步包括具有第二载流子浓度的第二外延层，其中，所述第二外延层设置在所述第一外延层的上方，并且所述第二载流子浓度低于所述第一载流子浓度。

4.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述器件晶圆包括硅。

5.根据权利要求1所述的衬底，其中，所述第一外延层包括硅和掺杂物。

6.根据权利要求5所述的衬底，其中，所述掺杂物包括磷。

7.根据权利要求5所述的衬底，其中，所述掺杂物包括硼。

8.根据权利要求1所述的衬底，进一步包括设置在所述第一外延层上方的附加外延层，每个所述附加外延层都具有载流子浓度Cx，其中，C₁是所述第一载流子浓度，C_N是顶部外延层的载流子浓度，N是包括所述第一外延层和所述附加外延层的外延层的数量，X是在所述第一外延层上方的从所述附加外延层开始的每个外延层的序号，所述序号从2开始，为之上的每个所述附加外延层的序号加1，并且C₁高于C_N。

9.一种制造集成电路衬底的方法，包括：

提供器件晶圆；以及

在所述器件晶圆的上方形成第一外延层，其中，所述器件晶圆具有原载流子浓度，所述第一外延层具有第一载流子浓度，所述第一载流子浓度高于所述原载流子浓度。

10.一种具有衬底的集成电路，所述衬底包括：

器件晶圆，具有原载流子浓度且包括硅；以及

第一外延层，设置在所述器件晶圆的上方，所述第一外延层具有第一载流子浓度，

其中，所述第一载流子浓度是所述原载流子浓度的1.25倍到2.25倍，所述第一外延层包括硅和掺杂物。