[发明专利]一种功率半导体模块焊接前倒装工艺

权利要求书

1.一种功率半导体模块焊接前倒装工艺，所述的功率半导体模块包括底板（6）、绝缘片或DBC基片（5）、管芯或芯片（4）、内部互连电极（3）和引出电极（2），其特征在于，该倒装工艺的具体步骤如下：

步骤一、制作一个具有安装槽（1a）并通过安装槽（1a）对功率半导体模块中各部件进行支撑和固定的支架（1）；

步骤二、将引出电极（2）放置在支架（1）的安装槽（1a）内并进行定位固定，所述的引出电极（2）包括用于连接外接电路的引出极（2a）和用于与功率半导体模块中其他部件连接的焊接极（2b），其引出极（2a）朝下插入支架（1）的安装槽（1a）中，焊接极（2b）朝上；

步骤三、将内部互连电极（3）放置在引出电极（2）上并由支架（1）进行定位固定，其内部互连电极（3）通过焊接片（7）与引出电极（2）的焊接极（2b）相连；

步骤四、将管芯或芯片（4）放置在内部互连电极（3）上，管芯或芯片（4）通过焊接片（7）和钼片与内部互连电极（3）相连；

步骤五、将绝缘片或DBC基片（5）放置在管芯或芯片（4）上，并通过支架（1）定位固定，其绝缘片或DBC基片（5）通过焊接片（7）与管芯或芯片（4）相连；

步骤六、在绝缘片或DBC基片（5）上放置底板（6），其底板（6）通过焊接片（7）与绝缘片或DBC基片（5）相接，并由支架（1）进行固定、支撑和定位。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤一中，所述的支架（1）根据功率半导体模块结构的不同进行制作，用来支撑、固定和定位底板（6）、绝缘片或DBC基片（5）、管芯或芯片（4）、内部互连电极（3）和引出电极（2）。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤一中，所述支架（1）上设置的安装槽（1a）为两边对称的阶梯型结构，其阶梯型结构共有四个阶层，两边阶梯型结构的第一阶层相连接形成一个凹槽，所述的四个阶层分别用于定位和支撑功率半导体模块中的各部件。

4.根据权利要求3所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤二中，所述的引出电极（2）设置有若干个，所述的引出电极（2）插入上述凹槽内，引出电极（2）的长度高于凹槽。

5.根据权利要求1所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤三中，所述的内部互连电极（3）放置在安装槽（1a）的第二阶层上，所述的内部互连电极（3）包括若干个电极（3b）和连接部（3a），所述的若干个电极（3b）通过两边成直角的连接条（3c）与连接部（3a）连接，若干个电极（3b）以连接部（3a）为轴两两对称，连接部（3a）与其连接部（3a）两边连接的连接条（3c）的一条直角边形成一个门的形状并可套接于高于凹槽的引出电极（2）上，其第二阶层的高度等于在电极（3b）上放置了管芯或芯片（4）后的高度。

6.根据权利要求1所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤四中，在放置管芯或芯片（4）前先在内部互连电极（3）的电极（3b）上放置钼片，再放置焊接片（7）后进行放置。

7.根据权利要求1或6所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤四中，在内部互连电极（3）上可放置多个管芯或芯片（4）。

8.根据权利要求1所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤五中，所述的绝缘片或DBC基片（5）放置在安装槽（1a）的第三阶层上并通过第三阶层进行定位和支撑。

9.根据权利要求1或8所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，在所述步骤五中，所述的DBC基片包括铜箔图形面和非铜箔图形面，在进行放置时，其铜箔图形面朝下，通过焊接片（7）与管芯或芯片（4）相连，非铜箔图形面朝上，通过焊接片（7）与底板（6）相连。

10.根据权利要求1所述的功率半导体模块焊接前倒装工艺，其特征在于，其特征在于，在所述步骤六中，所述的底板（6）放置在安装槽（1a）的第四阶层上并通过第四阶层进行定位和支撑。