[发明专利]阻变存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种阻变存储器件，其特征在于，所述阻变存储器件包括：

下电极，所述下电极与开关器件连接，并且包括形成在所述下电极的顶部上的第一节点和第二节点，所述第一节点和第二节点分隔开固定的间隔；

相变材料图案，所述相变材料图案形成在所述第一节点和所述第二节点上；

上电极，所述上电极形成在所述相变材料图案上；

导电材料层，所述导电材料层形成在所述上电极的顶部和外侧壁上；

第一接触插塞，所述第一接触插塞形成在所述上电极的顶部的一个边缘，以与所述上电极和所述导电材料层连接；以及

第二接触插塞，所述第二接触插塞形成在所述上电极的顶部的另一个边缘，以与所述上电极和所述导电材料层连接。

2.如权利要求1所述的阻变存储器件，还包括：

第一位线，所述第一位线与所述第一接触插塞连接；以及

第二位线，所述第二位线与所述第二接触插塞连接。

3.如权利要求2所述的阻变存储器件，其中，所述第一接触插塞被沿着所述第一位线的方向延伸的一对相邻的存储器单元共用。

4.如权利要求2所述的阻变存储器件，其中，所述第二接触插塞被沿着所述第二位线的方向延伸的一对相邻的存储器单元共用。

5.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述导电材料与所述相变材料图案的侧壁接触。

6.一种制造阻变存储器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供形成有开关器件的半导体衬底；

形成下电极，所述下电极的底部与所述开关器件连接，所述下电极的顶部包括以固定的间隔分隔开的第一节点和第二节点；

形成相变材料层和上电极材料并将所述相变材料层和所述上电极材料图案化，使得所述第一节点和所述第二节点与相变材料图案连接；

在所述上电极的顶部和外侧壁上形成导电材料层；

在包括所述导电材料层的所述半导体衬底上形成层间绝缘层，并且形成上电极接触孔，所述上电极接触孔中的一个暴露出所述上电极的一个边缘和所述导电材料层的一个边缘，所述上电极接触孔中的另一个暴露出所述上电极的另一个边缘和所述导电材料层的另一个边缘；以及

形成沉积在所述上电极接触孔中的接触插塞。

7.如权利要求6所述的方法，其中，形成接触插塞包括以下步骤：

将导电材料沉积在暴露出所述上电极的一个边缘和所述导电材料层的一个边缘的第一上电极接触孔内，以形成第一接触插塞；以及

将导电材料沉积在暴露出所述上电极的另一个边缘和所述导电材料层的另一个边缘的第二上电极接触孔内，以形成第二接触插塞。

8.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：

形成与所述第一接触插塞连接的第一位线；以及

形成与所述第二接触插塞连接的第二位线。

9.如权利要求8所述的方法，其中，沿所述第一位线的延伸方向相邻的一对存储器单元共用所述第一接触插塞，沿所述第二位线的延伸方向相邻的一对存储器单元共用所述第二接触插塞。

10.如权利要求6所述的方法，其中，所述导电材料与所述相变材料图案的侧壁接触。