[发明专利]一种硅片RIE制绒后的处理方法有效
申请号: | 201310188957.9 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN103280396A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;陆川;仇展炜 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 冯谱 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 rie 制绒后 处理 方法 | ||
1.一种硅片RIE制绒后的处理方法,其中,包括如下步骤:
a)对RIE制绒后的硅片进行水洗;
b)采用第一酸性溶液对所述硅片进行第一次酸性清洗;
c)对所述硅片进行水洗;
d)采用第二酸性溶液对所述硅片进行第二次酸性清洗;
e)对所述硅片进行水洗;
h)对所述硅片进行烘干和/或甩干。
2.根据权利要求1所述的处理方法,其中,在所述步骤e)和所述步骤h)之间,还包括执行以下步骤:
f)对所述硅片进行喷淋;
g)对所述硅片进行热水慢拉。
3.根据权利要求1或2所述的处理方法,其中,所述步骤a)、c)和e)中均采用去离子水对所述硅片进行水洗;
所述步骤f)中,采用去离子水对所述硅片进行喷淋。
4.根据权利要求1或2所述的处理方法,其中,
所述第一酸性溶液为氢氟酸;
所述第二酸性溶液为盐酸。
5.根据权利要求1或2所述的处理方法,其中,
所述第一酸性溶液为盐酸;
所述第二酸性溶液为氢氟酸。
6.根据权利要求4或5所述的处理方法,其中,
所述氢氟酸的浓度范围为:1%~10%;
所述盐酸的浓度范围为:1%~10%。
7.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述热水慢拉工艺中,热水的温度最低为50℃。
8.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述步骤g)热水慢拉工艺中,所述硅片在槽体热水中浸没的时间为20s~40s。
9.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述步骤g)热水慢拉工艺中,所述硅片拉起的时间范围为30s~60s。
10.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述步骤g)热水慢拉工艺中,所述硅片拉起的过程中对所述硅片持续吹热风。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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