[发明专利]一种硅片RIE制绒后的处理方法有效

专利信息
申请号: 201310188957.9 申请日: 2013-05-17
公开(公告)号: CN103280396A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 单伟;韩玮智;牛新伟;蒋前哨;金建波;陆川;仇展炜 申请(专利权)人: 浙江正泰太阳能科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 冯谱
地址: 310053 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅片 rie 制绒后 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种硅片RIE制绒后的处理方法,其中,包括如下步骤:

a)对RIE制绒后的硅片进行水洗;

b)采用第一酸性溶液对所述硅片进行第一次酸性清洗;

c)对所述硅片进行水洗;

d)采用第二酸性溶液对所述硅片进行第二次酸性清洗;

e)对所述硅片进行水洗;

h)对所述硅片进行烘干和/或甩干。

2.根据权利要求1所述的处理方法,其中,在所述步骤e)和所述步骤h)之间,还包括执行以下步骤:

f)对所述硅片进行喷淋;

g)对所述硅片进行热水慢拉。

3.根据权利要求1或2所述的处理方法,其中,所述步骤a)、c)和e)中均采用去离子水对所述硅片进行水洗;

所述步骤f)中,采用去离子水对所述硅片进行喷淋。

4.根据权利要求1或2所述的处理方法,其中,

所述第一酸性溶液为氢氟酸;

所述第二酸性溶液为盐酸。

5.根据权利要求1或2所述的处理方法,其中,

所述第一酸性溶液为盐酸;

所述第二酸性溶液为氢氟酸。

6.根据权利要求4或5所述的处理方法,其中,

所述氢氟酸的浓度范围为:1%~10%;

所述盐酸的浓度范围为:1%~10%。

7.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述热水慢拉工艺中,热水的温度最低为50℃。

8.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述步骤g)热水慢拉工艺中,所述硅片在槽体热水中浸没的时间为20s~40s。

9.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述步骤g)热水慢拉工艺中,所述硅片拉起的时间范围为30s~60s。

10.根据权利要求2所述的处理方法,其中,所述步骤g)热水慢拉工艺中,所述硅片拉起的过程中对所述硅片持续吹热风。

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