[发明专利]半导体元件镀膜制程方法

说明书

 

技术领域

    本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，涉及一种半导体元件的镀膜制程方法。

 

背景技术

    现有半导体LED制程，当背镀反射膜时，若背镀膜层对隐形切割(stealth dicing)雷射为不可穿透，在进行晶粒切割过程中，会因金属层对雷射的反射，造成无法由背镀面进行隐形切割的状况发生。当背镀反射膜层含金属时，若由晶粒正面，即非背镀面进行隐形切割，因雷射作用处接近LED外延层（EPI layer)，易造成元件漏电。为解决背镀金属膜层后，无法由背镀面进行隐形切割的问题，现亦有制程在背镀前即先由晶元背面对晶元进行隐形切割，而后在晶元正面贴上胶带，再进行背镀程序。但上述方法至少存在几个缺点，若后续背镀含氧化层，会因氧化层镀膜须在约120~200℃环境下进行，上述正面贴胶带须有耐高温且不残胶的特性，价格昂贵且不易取得。因背镀前已先对晶元进行减薄及隐形切割，因此晶元已处于半分离状态，仅靠正面贴上胶带，仍难以解决后续操作困难的问题，稍有外力，晶元即会沿任一切割处裂开，造成破片，不利后续制程。

     

发明内容

本发明为解决上述技术问题，提供一种半导体元件镀膜制程方法，可避免现行技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。

    为达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

   一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：

  1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；

  2）对晶元进行雷射隐形切割；

  3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；

  4）背镀氧化层或金属层；

  5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；

  6）劈裂。

  一种半导体元件镀膜制程方法，包括步骤如下：

  1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；

  2）将晶元粘附、键合于一坚固基板上；

  3）背镀氧化层加金属层；

  4）对晶元进行雷射隐形切割；

  5）将粘附、键合的基板进行剥离；

  6）劈裂。

   所述氧化物为SiO2或Ti3O5。

   所述金属层为Al或Ag。

   本发明所带来的有益效果如下：

   本发明技术方案，是背镀反射层结合隐形切割的制程方法，通过增加将晶元粘附、键合于一坚固基板上的工序，解决了现有技术在隐形切割后仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，且易破片的问题。且可避免背镀金属膜后，由晶元正面雷射隐形切割所造成的电性差的问题。

 

附图说明

图1是现有的半导体镀膜制程图；

图2是本发明所公开的半导体镀膜制程图。

           

具体实施方式

以下通过附图和具体实施例对本发明所提供的设计方法做一详细的描述：

图1是现有技术中半导体镀膜的制程图，其包括步骤如下：

    1）在镀膜制程前先对晶元进行减薄处理；

    2）对晶元进行雷射隐形切割；

    3）将晶元的正面固定保护胶带；

    4）背镀氧化层、金属层；

    5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；

6）对未裂片进行劈裂。

由于上述制程，在晶元减薄进行雷射隐形切割后，仅靠一胶带粘附，晶元仍脆弱难以处理，因此很容易出现裂片现象，使得后续制程困难，不适合大量生产。

图2是本发明所公开的半导体镀膜制程图，包括步骤如下：

    1）在背镀反射层前先对晶元进行减薄；

    2）对晶元进行雷射隐形切割；

    3）将雷射隐形切割后的晶元粘附、键合于一坚固基板上；

    4）背镀氧化层或金属层；

    5）背镀完成后将粘附、键合的基板进行剥离；

6）劈裂。

上述针对背面镀膜结合隐形切割的制程方法，在晶元减薄进行雷射隐形切割后，将半分离（因晶元经隐形切割后已非常脆弱，稍加外力即会裂开，因此在此称之为半分离）的晶元粘附、键合于另一坚固的基板上，再继续后续的镀膜制程，镀膜完成后将粘附、键合的基板进行剥离，再进行后续劈裂的工序。晶元因粘附的基底坚固，操作简易，不容易发生破片的现象。