[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310190084.5 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104183549A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括第一虚拟栅极，所述第二区域包括第二虚拟栅极；
在所述半导体衬底上形成层间介质层，执行平坦化工艺处理所述层间介质层，以露出所述第一虚拟栅极和第二虚拟栅极的顶部；
在所述第二区域上形成覆盖层；
去除所述第一虚拟栅极以形成第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一金属栅极；
采用氧等离子体处理所述第一金属栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属栅极包括功函数金属层和金属电极层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域为PMOS区域，所述第二区域为NMOS区域。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域为NMOS区域，所述第二区域为PMOS区域。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧等离子处理采用的气体为氧气或臭氧或含氧成分的气体或含氧的混合气体。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述氧等离子处理中，等离子体处理的功率为200w～2000w，温度为40℃～500℃，反应室内的压强为5mT～2T，等离子体处理的时间为10s～60s。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在采用氧等离子体处理所述第一金属栅极之后去除所述第二虚拟栅极以形成第二沟槽的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述第二沟槽中形成第二金属栅极。
9.如权利要求1或7所述的方法，其特征在于，去除所述虚拟栅极的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀或者部分干法部分湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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