[发明专利]耦接器无效
申请号: | 201310190406.6 | 申请日: | 2013-05-21 |
公开(公告)号: | CN103457665A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 马逾钢;川崎研一;增田久 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04B10/29 | 分类号: | H04B10/29 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耦接器 | ||
1.一种电磁耦接器,包括:
发送器,被配置为工作于第一中心频率,
第一端子,被配置为连接至所述发送器并具有第二谐振频率,接收器,被配置为工作于所述第一频率,
第二端子,被配置为连接至所述接收器并具有第三谐振频率,
其中,当所述第一端子和第二端子在结合时被置为紧密贴近时,等效谐振频率大体是所述第一频率,而且其中,所述第二和/或第三频率在频谱上大体上与所述第一频率分开。
2.根据权利要求1所述的耦接器,进一步包括位于所述第一端子和所述第二端子之间的介电材料。
3.根据前述任一权利要求所述的耦接器,进一步包括毗邻或围绕所述第一端子和/或所述第二端子的射频吸收体。
4.根据前述任一权利要求所述的耦接器,其中,所述耦接器的带宽大于16%。
5.根据前述任一权利要求所述的耦接器,其中,所述RF泄漏小于15%。
6.根据权利要求2所述的耦接器,其中,所述介电材料被设置在所述第二端子上,并且所述第三频率与所述第一频率大体相同。
7.根据权利要求2所述的耦接器,其中,所述介电材料被配置为:当不结合时,与所述第一端子和所述第二端子分隔开,并且当结合时,被夹入所述第一端子和所述第二端子之间,其中,所述第二和第三频率在频谱上大体与所述第一频率分隔开。
8.根据前述任一权利要求所述的耦接器,其中,所述第一端子被配置为插入所述第二端子。
9.根据前述任一权利要求所述的耦接器,其中,所述第一端子和所述第二端子被配置为当紧密贴近时彼此触碰。
10.根据权利要求9所述的耦接器,进一步包括自对准结构。
11.根据前述任一权利要求所述的耦接器,其中,所述第一频率是毫米波(MMW)频率。
12.根据前述任一权利要求所述的耦接器,其中,所述第一端子和/或所述第二端子包括槽式环和/或槽式偶极子的布置。
13.根据权利要求12所述的耦接器,其中,所述槽式环和槽式偶极子的布置具有间隔很近且部分地重叠的通频带的特征。
14.根据前述任一权利要求所述的耦接器,其中,所述第二频率大于所述第一频率的两倍。
15.根据权利要求1所述的耦接器,进一步包括位于所述第一端子和所述第二端子之间的介电材料,其中,所述介电材料被固定设置在所述第二端子上。
16.根据权利要求1所述的耦接器,进一步包括位于所述第一端子和所述第二端子之间的介电材料,其中,所述介电材料既不触碰所述第一端子也不触碰到所述第二端子直到所述耦接器处于连接状态。
17.一种根据前述任一权利要求的耦接器端子。
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