[发明专利]模塑料结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

封装部件，包括：

多个凸块，形成在所述封装部件上；

半导体管芯，安装在所述封装部件上；

介电材料，形成在所述封装部件上方，所述封装部件的顶面在顶视图中仅四个角部没有所述介电材料；以及

顶部封装件，接合在所述封装部件上，所述半导体管芯位于所述顶部封装件和所述封装部件之间；

其中，所述介电材料形成位于所述封装部件上方的模塑料层，并且所述半导体管芯嵌入在所述模塑料层中；

其中，所述模塑料层是梯形，或者所述模塑料层的截面是剪切同一侧角部的矩形，并且所述剪切同一侧角部的矩形包括：

矩形；以及

梯形，位于所述矩形上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述梯形具有范围在50度至80度之间的内角。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封装部件是封装衬底。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述封装部件的顶面的四个边缘区域没有所述介电材料，每一个边缘区域的宽度均等于50um。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个角部的形状都是三角形。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述三角形的第一边的第一尺寸大于或等于所述凸块的节距的一半；以及

所述三角形的第二边垂直于所述第一边，所述第二边的第二尺寸大于或等于所述凸块的节距的一半。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

在封装衬底的顶面的子部中设置半导体管芯；

在所述子部的四个角部处设置伪块状件；

在所述封装衬底的顶面上形成多个凸块，以行和列的方式布置所述多个凸块；

在所述封装衬底的顶面上方沉积密封层，所述半导体管芯嵌入到所述密封层中；

从所述封装衬底卸离所述伪块状件；

将所述封装衬底切割成多个芯片封装件；以及

将顶部封装件连接至所述封装衬底，其中：

在所述封装衬底和所述顶部封装件之间设置所述半导体管芯；并且

所述顶部封装件和所述封装衬底通过所述凸块连接在一起；

其中，所述伪块状件的顶面的长度大于所述伪块状件的底面的长度，并且所述伪块状件仅设置在每个所述封装衬底的子部的四个角部上。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

将释放层附接在所述封装衬底的每一个角部上方；

将所述伪块状件通过所述释放层附接至所述封装衬底；以及

对所述封装衬底实施释放工艺以卸离所述伪块状件。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

将释放层附接在所述封装衬底的顶面的边缘区域上方；

将所述边缘区域的伪块状件通过所述释放层附接至所述封装衬底；以及

对所述封装衬底实施释放工艺以卸离所述边缘区域的伪块状件。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

将环形的伪块状件附接在所述封装衬底的顶面上，其中所述环形的伪块状件覆盖所述封装衬底的子部中的四个角部和四个边缘区域。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底的第一侧上附接第一半导体管芯；

在所述衬底的所述第一侧上附接第二半导体管芯；

在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间附接伪块状件；

在所述衬底的第一侧上方沉积模塑料层，其中所述第一半导体管芯、所述第二半导体管芯和所述伪块状件嵌入在所述模塑料层中；以及

从所述衬底卸离所述伪块状件；

其中，所述伪块状件的顶面的长度大于所述伪块状件的底面的长度并且所述伪块状件仅设置在每个所述衬底的四个角部上。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

切割所述衬底以形成包括所述第一半导体管芯的第一芯片封装件；以及

在所述第一芯片封装件上附接顶部封装件，其中所述第一半导体管芯位于所述衬底和所述顶部封装件之间。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：将所述伪块状件附接至所述衬底，其中所述伪块状件是围绕所述第一半导体管芯的环。