[发明专利]超声换能器和用于制造超声换能器的方法

权利要求书

1.一种超声换能器(16)，包括：

声学元件(14)的阵列，所述声学元件(14)包括去匹配层(50)，所述去匹配层(50)涂覆有导电涂层；

集成电路(36)；

内插器(38)，其包括用于将所述声学元件电连接到所述集成电路的导电元件(58)，所述导电元件电连接到所述集成电路；以及

焊料(46)，其在所述声学元件与所述内插器的所述导电元件之间接合，所述导电涂层电连接所述焊料和所述去匹配层，从而使得所述内插器的所述导电元件通过所述焊料电连接到所述声学元件。

2.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述焊料(46)是第一焊料层(46a)，所述超声换能器进一步包括第二焊料层(46b)，其在所述集成电路(36)与所述内插器(38)的所述导电元件(58)之间接合使得所述内插器的所述导电元件通过所述焊料电连接到所述集成电路。

3.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述内插器(38)包括挠性电路或挠性线缆中的至少一个。

4.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述声学元件(14)的阵列是一维(1D)阵列、1.5D阵列、1.75D阵列或二维(2D)阵列中的一个。

5.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述焊料(46)包括单独焊料元件(46aa)，每个单独焊料元件与所述声学元件的阵列的至少两个声学元件(14)接合。

6.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述声学元件(14)的阵列、所述内插器(38)和所述集成电路(36)布置在栈中，所述内插器在所述栈内在所述集成电路与所述声学元件的阵列之间延伸。

7.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述焊料(46)配置成引导信号的传送和接收。

8.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述内插器(38)的所述导电元件(58)包括电通路、电迹线或电接触盘中的至少一个。

9.如权利要求1所述的超声换能器(16)，其中，所述焊料(46)是第一焊料层(46a)并且所述集成电路(36)包括电接触(56)，所述超声换能器进一步包括第二焊料层(46b)，其在所述内插器(38)的所述导电元件(58)与所述集成电路的所述电接触之间接合使得所述集成电路的所述电接触通过所述第二焊料层电连接到所述内插器的所述导电元件。