[发明专利]微辉光放电电离源一体式FAIMS

权利要求书

1.一种微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：包括PCB板和支撑固定板，所述支撑固定板的一端连接在所述PCB板上，另一端为开放端，在所述开放端上设置有进气口和电源接口；所述固定支撑板内部从所述开放端至连接端依次设置有微辉光放电电离源、FAIMS芯片和检测器，所述检测器设置在所述PCB板上，所述进气口、所述微辉光放电电离源、所述FAIMS芯片和检测器之间形成贯穿所述支撑固定板和PCB板的通道。

2.根据权利要求1所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述微辉光放电电离源包括正放电电极和负放电电极，所述正放电电极和负放电电极之间交替相对设置有正极导流板和负极导流板，所述正极导流板仅一端与所述正放电电极连接，所述负极导流板仅一端与所述负放电电极连接，所述正极导流板和所述负极导流板之间形成连贯的通道。

3.根据权利要求1或2任一项所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述微辉光放电电离源放电电压为150V-500V。

4.根据权利要求2或3所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述正放电电极和负放电电极采用硅片，所述硅片厚度为0.1-5mm。

5.根据权利要求2或3或4所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述正放电电极和负放电电极之间距离为20-500μm。

6.根据权利要求1-5任一项所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述支撑固定板呈圆柱形状，其内部为层状结构，所述微辉光放电电离源、FAIMS芯片和检测器分别分层设置在所述支撑固定板内部。

7.根据权利要求1-6任一项所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述微辉光放电电离源与FAIMS芯片之间的距离为1-10mm，所述FAIMS芯片和检测器之间的距离为1-5mm，所述支撑固定板的整体厚度为0.8-2cm，直径为2.7-3.3 cm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述FAIMS芯片中间沿着纵向在硅片上刻蚀出多个离子迁移沟道。

9.根据权利要求8所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述沟道的间距为20-500微米，所述沟道的深度为200-3000微米。

10.根据权利要求1-9任一项所述的微辉光放电电离源一体式FAIMS，其特征在于：所述FAIMS芯片外加一个非对称的射频高压电压，频率为0.2-30MHz。