[发明专利]半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

一基材，包含一柱体，该柱体包含一有源区；

一字元线，形成于该基材上；

一绝缘材料，形成于该字元线上；以及

一蚀刻停止材料，形成于该绝缘材料上并围绕着该柱体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含一第一部分及一第二部分，其中该蚀刻停止材料的该第一部分高于该蚀刻停止材料的该第二部分。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含一第三部分，其中该蚀刻停止材料的该第三部分低于该蚀刻停止材料的该第二部分。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含一第四部分，其中该第四部分高于该柱体的一顶面。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包含一数字线，其中该数字线形成于该蚀刻停止材料的该部分。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含一部分，其中该部分低于该柱体的一顶面。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该绝缘材料包含二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含氮化硅。

9.一种半导体装置，包含：

一基材，包含多个有源区柱体；

多个字元线，形成于该基材；

一绝缘材料，遮盖所述多个字元线；以及

一蚀刻停止材料，覆盖该绝缘材料，其中所述多个有源区柱体的柱体顶面曝露出该蚀刻停止材料。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含具有不同高度的多个部分。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含一部分，其中该部分高于所述多个有源区柱体之一者的柱体顶面。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，还包含一数字线，其中该数字线形成于该蚀刻停止材料的该部分。

13.根据权利要求9所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含一部分，其中该部分低于所述多个有源区柱体之一者的柱体顶面。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中该蚀刻停止材料包含氮化硅。

15.根据权利要求9所述的半导体装置，其中该绝缘材料包含二氧化硅。

16.一种半导体装置的制备方法，包含下列步骤：

形成多个第一沟槽于一基材上；

填充一第一绝缘材料于所述多个第一沟槽；

形成多个第二沟槽于该基材上，其中所述多个第一沟槽与所述多个第二沟槽界定多个柱体，且各该柱体包含一有源区；

形成一字元线于各该第二沟槽；

填充一第二绝缘材料于所述多个第二沟槽；

形成一凹陷于该第一绝缘材料与该第二绝缘材料；以及

沉积一蚀刻停止材料，覆盖该凹陷。

17.根据权利要求16所述的制备方法，还包含下列步骤：

移除该蚀刻停止材料的一第一部分，以露出所述多个柱体的部分；

形成多个条数字线，其中各该数字线接触所述多个柱体的对应者；以及

在所述多个数字线间的该蚀刻停止材料的第二部分上形成凹陷。

18.根据权利要求17所述的制备方法，还包含下列步骤：

填充绝缘材料于所述多个数字线间的间隔；以及

对该蚀刻停止材料上方的该绝缘材料进行选择性蚀刻，以露出在所述多个数字线间的所述多个柱体。

19.根据权利要求16所述的制备方法，其中该蚀刻停止材料包含氮化硅。

20.根据权利要求16所述的制备方法，其中该第一或第二绝缘材料包含二氧化硅。

21.根据权利要求16所述的制备方法，其中该蚀刻停止材料的厚度为该蚀刻停止材料在所述多个柱体之一者上的部分的厚度的1.5至2倍。