[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的TiO_2-xF_x层及MoO₃层，其中，x为0.1～0.6。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm～600nm。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述TiO_2-xF_x层的厚度为30nm～550nm，所述MoO₃层的厚度为0.5nm～5nm。

4.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将TiO_2-xF_x靶材及MoO₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，其中，x为0.1～0.6；

在所述衬底表面溅镀TiO_2-xF_x层，溅镀所述TiO_2-xF_x层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述TiO_2-xF_x层表面溅镀MoO₃层，溅镀所述MoO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

5.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述TiO_2-xF_x靶材由以下步骤得到：将TiO₂和TiF₄粉体混合均匀，其中，所述TiF₄占混合粉体的摩尔百分数为2.6%～17.6%，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、TiO_2-xF_x层及MoO₃层，其中，x为0.1～0.6。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为70nm～600nm。

8.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将TiO_2-xF_x靶材及MoO₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，其中，x为0.1～0.6；

在所述衬底表面溅镀TiO_2-xF_x层，溅镀所述TiO_2-xF_x层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述TiO_2-xF_x层表面溅镀MoO₃层，溅镀所述MoO₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃。