[发明专利]用于抑制TSC负面效应的被动控制方法

权利要求书

1.用于抑制TSC负面效应的被动控制方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一、建立PPF与TSC系统的网络拓扑结构；

步骤二、建立步骤一所述网络拓扑结构的动态网络热力学模型；

步骤三、根据步骤二所述动态网络热力学模型，计算所述网络拓扑结构中的参数，进而完成用所述网络拓扑结构来抑制TSC负面效应。

2.根据权利要求1所述用于抑制TSC负面效应的被动控制方法，其特征在于，步骤一中所述建立PPF与TSC系统的网络拓扑结构为：在6.3kV母线上挂接四条通道，分别为1号通道D1、2号通道D2、3号通道D3和4号通道D4，

1号通道D1包括1号隔离开关K1、1号熔断器FR1和1号TSC，1号隔离开关K1、1号熔断器FR1和1号TSC依次串联，1号隔离开关K1连接6.3kV母线；

2号通道D2包括2号隔离开关K2、2号熔断器FR2和2号TSC，2号隔离开关K2、2号熔断器FR2和2号TSC依次串联，2号隔离开关K2连接6.3kV母线；

3号通道D3包括3号隔离开关K3、3号熔断器FR3和3号TSC，3号隔离开关K3、3号熔断器FR3和3号TSC依次串联，3号隔离开关K3连接6.3kV母线；

4号通道D4包括4号隔离开关K4、4号熔断器FR4、电抗L4和PPF，4号隔离开关K4、4号熔断器FR4和PPF依次串联，4号隔离开关K4连接6.3kV母线。

3.根据权利要求2所述用于抑制TSC负面效应的被动控制方法，其特征在于，1号TSC、2号TSC和3号TSC结构相同，其中1号TSC包括三条支路，所述三条支路角接，第一条支路由晶闸管TR1、并联电感的电容C₁₁和电抗L1依次串联构成；第二条支路由晶闸管TR2、并联电感的电容C₁₂和电抗L2依次串联构成；第三条支路由晶闸管TR3、并联电感的电容C₁₃和电抗L3依次串联构成。

4.根据权利要求1所述用于抑制TSC负面效应的被动控制方法，其特征在于，步骤三中所述网络拓扑结构中的参数的获取过程为：

1号通道D1的参数V₁={L_s,L₁,C₁}，其中，L₁为1号TSC的等效感抗，C₁为1号TSC的等效容抗；

2号通道D2的参数V₂={L_s,L₂,C₂}，其中，L₂为2号TSC的等效感抗，C₂为2号TSC的等效容抗；

3号通道D3的参数V₃={L_s,L₃,C₃}，其中，L₃为3号TSC的等效感抗，C₃为3号TSC的等效容抗；

4号通道D4的参数V'_PPF={L_s,L₄,C₄}，其中，L_s为主变二次侧线圈及输电线路的阻抗，L₄为PPF的等效感抗，C₄为PPF的等效容抗；

所述四个通道所有参数构成的集合V，表示为：

V={L_s,L₄,C₄,L₁,C₁,L₂,C₂,L₃,C₃}

集合V的约束关系E可以表示为：

E={(u_Lj,i_Cj)|j=1,2,3,4}

其中：u_L1为1号TSC的等效感抗L₁两端电压；u_L2为2号TSC的等效感抗L₂两端电压；u_L3为3号TSC的等效感抗L₃两端电压；u_L4为滤波器的等效感抗L₄两端电压；

ij=CjduLjdt(j=1,2,3,4),]]>

集合V中各要素间存在关联函数Ψ可表示为：

Ψ={i,i_PPF,i_TSC}

其中：i=i_PPF+i_TSC

i_PPF=i₄

i_TSC=i₁+i₂+i₃

由以上各式然后根据TSC和PPF的网络热力学模型即可计算出其相应的参数。