[发明专利]一种正方形引线的二极管的烧结模具及烧结方法有效
申请号: | 201310192808.X | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN103236408A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 王培祥;戚涛;邵亦军;孙菲;朱海涛 | 申请(专利权)人: | 济南晶恒电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/50 |
代理公司: | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人: | 章艳荣 |
地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正方形 引线 二极管 烧结 模具 方法 | ||
1.一种正方形引线的二极管的烧结模具,其特征在于:包括基座和上定位块,基座和上定位块上至少有一个二极管模腔,二极管模腔包括依次连通的下矩形槽、二级阶梯圆柱孔和上矩形槽,下矩形槽设置在基座上,下矩形槽与下正方形引线的接线端相匹配,二级阶梯圆柱孔和上矩形槽均设置在上定位块上,二级阶梯圆柱孔的小端朝下,二级阶梯圆柱孔与玻壳和露在玻壳外的下正方形引线的圆柱电极相匹配,上矩形槽用于容纳露在玻壳外的上正方形引线,上定位块由通过其上的二级阶梯圆柱孔的轴向中心截面的面分割成至少两部分,每个二级阶梯圆柱孔和上矩形槽位于上定位块的两个部分上。
2.根据权利要求1所述的正方形引线的二极管的烧结模具,其特征在于:所述的上矩形槽的横向截面与上正方形引线的接线端的横向截面相匹配,上矩形槽的深度为露在玻壳外的上正方形引线的高度。
3.根据权利要求1或2所述的正方形引线的二极管的烧结模具,其特征在于:所述的基座和上定位块的每个部分之间均设有定位销。
4.根据权利要求3所述的正方形引线的二极管的烧结模具,其特征在于:所述的基座和上定位块有两排二极管模腔,每排有多个二极管模腔,上定位块由通过每排二级阶梯圆柱孔的轴向中心截面的面分割成两个侧边定位条和两个中间定位条,基座为一个整体式基座,每个定位条均与基座通过两个定位销连接。
5.一种采用权利要求1或2所述的烧结模具的正方形引线的二极管的烧结方法,其特征在于:包括如下步骤:(1)组装二极管:在基座的每一个下矩形槽中插入一个下正方形引线,使接线端完全进入下矩形槽中,在基座上拼好上定位块,使每个二级阶梯圆柱孔与相应的下矩形槽正对,在每个二级阶梯圆柱孔中放入玻壳,将玻壳套在下正方形引线的圆柱电极上,玻壳下端压在二级阶梯圆柱孔中过渡端面上,在每个玻壳内放入芯片,并使芯片与下正方形引线的圆柱电极接触,再在每个玻壳中放入上正方形引线,使上正方形引线的圆柱电极与芯片接触,露在玻壳外的上正方形引线处于上矩形槽中;(2)将组装好的二极管连同烧结模具放入炉中烧结。
6.根据权利要求5所述的烧结方法,其特征在于:在步骤(1)中,二极管在烧结模具上组装好后,将基座和上定位块通过定位销定位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造