[发明专利]双镶嵌式金属栅极

权利要求书

1.一种制造金属栅极的方法，所述方法包括：

在衬底上形成伪栅极；

在所述衬底上和所述伪栅极的顶部上沉积保护层；

在所述伪栅极的侧面上生长扩展层；

去除所述保护层；

在所述伪栅极和所述扩展层周围形成隔离件；

在所述隔离件周围沉积介电层并将所述介电层平坦化；

去除所述扩展层；以及

去除所述伪栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括抗反射涂布材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扩展层包括能够通过外延工艺选择性地生长在形成所述伪栅极的材料上的材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述伪栅极包括半导体材料，并且所述扩展层包括硅锗。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述伪栅极之前，选择性地从所述伪栅极的侧面去除所述扩展层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过湿式蚀刻工艺去除所述伪栅极。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层厚到足以在去除所述伪栅极之后留下的孔内设置搁架件。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：以金属栅极填充去除所述伪栅极之后所留下的孔。

9.一种用于制造金属栅极的方法，所述方法包括：

在衬底和和伪栅极上沉积保护层，所述保护层不形成在所述伪栅极的侧面上；

通过外延工艺在所述伪栅极的侧面上生长扩展层；

在去除所述保护层之后，在所述伪栅极周围形成隔离件；

在所述伪栅极周围的区域中填充介电材料；

平坦化所述介电层、所述隔离件和所述伪栅极；

在去除所述伪栅极之前去除所述扩展层。

10.一种双镶嵌式金属栅极，包括：

被介电层包围的金属栅极的下部，所述金属栅极的所述下部具有第一宽度；

所述金属栅极的上部，具有大于所述第一宽度的第二尺寸，使得所述下部和所述上部之间具有搁架件；

其中，所述金属栅极的所述下部的空间由所述伪栅极形成，并且所述金属栅极的所述上部的空间由所述伪栅极和外延形成在所述伪栅极的侧面上的扩展层两者形成。