[发明专利]阵列基板、其制造方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成栅极金属层，通过构图工艺形成包括栅极和栅线的图案；

在形成有所述栅极和所述栅线图案的基板上依次形成绝缘层、半导体材料层和源/漏金属层，通过构图工艺形成包括半导体层、源/漏电极和数据线的图案，其中所述源/漏电极的图案与所述半导体层的图案一致；

在形成有所述半导体层、源/漏电极和数据线图案的基板上形成第一透明导电层，通过构图工艺形成第一透明电极的图案，并在所述源/漏电极的图案上形成间隙以形成源极和漏极的图案。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在形成有所述源极、漏极以及所述第一透明电极的图案的基板上形成钝化层，通过构图工艺在周边引线区形成包括露出栅线引线的过孔和露出数据线引线的过孔的图案；

在形成有所述栅线引线过孔和数据线引线过孔图案的所述钝化层上形成第二透明导电层，通过构图工艺形成第二透明电极的图案，其中所述第二透明电极为狭缝状电极。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述栅极和所述栅线图案的基板上依次形成绝缘层、半导体材料层和源/漏金属层，通过构图工艺形成包括半导体层、源/漏电极和数据线的图案，其中所述源/漏电极的图案与所述半导体层的图案一致，具体包括：

在形成有所述栅极和所述栅线图案的基板上，一次形成绝缘层、半导体层和源/漏金属层；

在形成有所述源/漏金属层的基板上涂覆光刻胶，通过普通的掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，其中光刻胶完全保留区域对应形成所述源/漏电极图案的区域以及形成所述数据线图案的区域，其他区域为光刻胶完全去除区域；

对所述光刻胶完全去除区域进行刻蚀，依次去除所述源/漏金属层和半导体层；

剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，形成所述半导体层的图案、所述源/漏电极的图案、以及所述数据线的图案，其中所述源/漏电极的图案与所述半导体层的图案一致。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述半导体层、源/漏电极和数据线图案的基板上形成第一透明导电层，通过构图工艺形成第一透明电极的图案，并在所述源/漏电极的图案上形成间隙，以形成源极和漏极的图案，具体过程包括：

在形成有所述半导体层、源/漏电极和数据线图案的基板上形成第一透明导电层；

在形成有所述第一透明导电层的基板上涂覆光刻胶，通过普通的掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，其中光刻胶完全保留区域对应形成所述第一透明电极图案的区域，其他区域为光刻胶完全去除区域；

对所述光刻胶完全去除区域进行第一次蚀刻，去除所述第一透明导电层，以形成所述第一透明电极；

对所述光刻胶完全去除区域进行第二次蚀刻，去除未被所述数据线图案覆盖的所述半导体层；

对所述光刻胶完全去除区域进行第三次蚀刻，在所述源/漏电极的图案上形成间隙以形成源极和漏极的图案。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述栅极和所述栅线图案的基板上依次形成绝缘层、半导体材料层之后，形成源/漏金属层之前，还包括：在形成有所述半导体材料层的基板上形成欧姆接触层；所述欧姆接触层的图案与所述源极和所述漏极的图案一致。

6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述通过构图工艺形成包括栅极和栅线的图案时，还包括形成公共电极线的图案。

7.一种阵列基板，其特征在于，由权利要求1-6任一项所述的阵列基板的制造方法制成，包括依次形成在基板上的栅极和栅线的图案；半导体层的图案；源极、漏极和数据线的图案及第一透明电极的图案，所述第一透明电极直接搭接所述漏极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，在所述漏极与所述半导体层之间形成有漏极欧姆接触层。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括公共电极线的图案，所述公共电极线的图案与所述栅极和栅线的图案在同一层形成。

10.根据权利要求7-9所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一透明电极上还设置有钝化层和狭缝状的第二透明电极。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-10任一项所述的阵列基板。