[发明专利]通过剥脱产生和转印表面形态的方法

权利要求书

1.一种产生表面图形的方法，包括：

在基础衬底的顶上形成差别断裂产生应力源层，所述差别断裂产生应力源层具有在厚度或至少一个物理特性上的调制；以及

从所述基础衬底剥脱材料层，其中来自所述基础衬底的所述材料层和所述基础衬底的剩余部分具有互补表面形态，所述互补表面形态追随所述差别断裂产生应力源层的在厚度或所述至少一个物理特性上的所述调制。

2.根据权利要求1的方法，还包括在所述差别断裂产生应力源层下面形成含金属的粘着层。

3.根据权利要求1的方法，还包括在所述差别断裂产生应力源层的顶上形成处理衬底。

4.根据权利要求1的方法，其中所述差别断裂产生应力源层具有在厚度上的调制。

5.根据权利要求4的方法，其中所述差别断裂产生应力源层包括具有第一厚度的至少一个第一区域以及具有第二厚度的至少一个第二区域，其中所述第一厚度不同于所述第二厚度。

6.根据权利要求4的方法，其中所述差别断裂产生应力源层利用通过掩模的沉积或剥离法形成。

7.根据权利要求1的方法，其中所述差别断裂产生应力源层具有所述至少一个物理特性的调制。

8.根据权利要求1的方法，其中所述至少一个物理特性选自应力和杨氏模量。

9.根据权利要求7的方法，其中所述差别断裂产生应力源层包括具有第一物理特性的至少一个第一区域和具有第二物理特性的至少一个第二区域，其中所述第一物理特性不同于所述第二物理特性。

10.根据权利要7的方法，其中所述差别断裂产生应力源层通过在毯覆式应力源层的至少一个区域执行激光退火而形成。

11.根据权利要求1的方法，其中所述差别断裂产生应力源层包含金属、聚合物、或其任意组合。

12.根据权利要求11的方法，其中所述差别断裂产生应力源层至少包含所述聚合物，并且所述聚合物包括剥脱诱导带层。

13.根据权利要求1的方法，其中所述剥脱在室温下或在低于室温的温度下执行。

14.根据权利要求1的方法，其中在厚度或至少一个物理特性上的所述调制位于所述基础衬底的边缘附近。

15.一种复制表面图形的方法，包括：

提供具有选定表面形态的基础衬底；

在包括所述选定表面形态的所述基础衬底的顶上形成应力源层；以及

从所述基础衬底剥脱材料层，其中，来自所述基础衬底的所述材料层具有剥脱表面，所述剥脱表面至少部分地复制所述选定表面形态，并且其中，所述基础衬底的剩余部分具有其形态与所述至少部分地复制的表面形态互补的表面。

16.根据权利要求15的方法，还包括在所述应力源层下面形成含金属的粘着层。

17.根据权利要求15的方法，还包括在所述应力源层的顶上形成处理衬底。

18.根据权利要求15的方法，其中所述应力源层包含金属、聚合物、或其任意组合。

19.根据权利要求18的方法，其中所述应力源层至少包含所述聚合物，并且所述聚合物包括剥脱诱导带层。

20.根据权利要求15的方法，其中所述剥脱在室温下或在低于室温的温度下执行。

21.根据权利要求15的方法，其中所述选定表面形态位于所述基础衬底的最上表面内。

22.根据权利要求15的方法，其中所述选定表面形态由位于所述基础衬底的最上表面上的掩模提供。

23.根据权利要求15的方法，其中所述选定表面形态是位于所述基础衬底的最上表面内的非倒金字塔，并且所述基础衬底包含半导体材料。

24.根据权利要求23的方法，其中所述非倒金字塔是通过利用基于KOH的溶液、HNO₃/HF溶液、或通过利用反应离子蚀刻（RIE）和包括密堆积自组装聚合物球体的掩模的组合而形成的。

25.根据权利要求23的方法，其中所述应力源层是非平面的，并且具有追随所述基础衬底的所述选定表面形态的形状。