[发明专利]用于热辅助磁记录（HAMR）介质的下层

权利要求书

1.一种记录介质，包含：

磁记录层；

设置在所述磁记录层下方的势垒层，所述势垒层由TiC构成；

设置在所述势垒层下方的第一下层；以及

设置在所述第一下层下方的非结晶籽晶层；

其中所述磁记录层包含FePd合金；

其中所述第一下层包含RuAl氧化物、AlMn、CuBe或AlRe。

2.根据权利要求1所述的记录介质，进一步包含设置在所述非结晶籽晶层下方的热沉层。

3.根据权利要求1所述的记录介质，进一步包含设置在所述第一下层和所述非结晶籽晶层之间的第二下层，其中所述第二下层包含RuAl合金。

4.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述磁记录层具有L1₀晶体结构。

5.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述FePd合金是FePd-XY合金，其中X包含Cr₂O₃、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Nb₂O₅、V₂O₅、MgO、MnO、WO₃或HfO₂，并且其中Y包含Ni、Cu、Ag、Mn、B或C。

6.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述非结晶籽晶层包含Cr-X合金，其中X包含Al、B、C、Cu、Hf、Ho、Mn、Mo、Ni、Ta、Ti、V、W或Ru。

7.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述记录介质包括在包含外壳的记录装置中，所述外壳含有记录头和所述记录介质，所述记录头用于从所述记录介质读取磁信号，以及将磁信号写入到所述记录介质。

8.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述势垒层包含具有B1结构的材料。

9.一种制造记录介质的方法，包含：

形成非结晶籽晶层；

在所述非结晶籽晶层上方形成第一下层；

在所述第一下层上方形成势垒层，所述势垒层由TiC构成；以及

在所述势垒层上方形成磁记录层，

其中所述磁记录层包含FePd合金；

其中所述第一下层包含RuAl氧化物、AlMn、CuBe或AlRe。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包含在形成所述非结晶籽晶层之前形成热沉层。

11.根据权利要求9所述的方法，进一步包含在形成所述第一下层之前但在形成所述非结晶籽晶层之后形成第二下层，其中所述第二下层包含RuAl合金。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述磁记录层具有L1₀晶体结构。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述FePd合金是FePd-XY合金，其中X包含Cr₂O₃、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Nb₂O₅、V₂O₅、MgO、MnO、WO₃或HfO₂，并且其中Y包含Ni、Cu、Ag、Mn、B或C。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述非结晶籽晶层包含Cr-X合金，其中X包含Al、B、C、Cu、Hf、Ho、Mn、Mo、Ni、Ta、Ti、V、W或Ru。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述势垒层包含具有B1结构的材料。