[发明专利]艾纳香的快速繁殖与移栽方法有效

专利信息
申请号: 201310194018.5 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN103250645A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 谢丙质;王济红;欧国腾;刘燕 申请(专利权)人: 贵州一合生物技术有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01G1/00
代理公司: 贵阳中新专利商标事务所 52100 代理人: 吴无惧
地址: 550100 贵州省黔南布依*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 艾纳香 快速 繁殖 移栽 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及艾纳香的快速繁殖与移栽方法。

背景技术

菊科Compositae艾纳香属B1umea DC.植物全世界.约80余种,分布于热带和亚热带的亚洲、非洲及大洋洲;我国30种,分布于长江流域以南各省区;贵州有14种,罗甸有艾纳香属植物8种,其中艾纳香Bl. balsamifera(L.)DC、千头艾纳香Bl.lanceolarlaRoxb、柔毛艾纳香 Bl. mollis  (D.Don)Merr.、见霜黄Bl. lacera (Burm.f.)DC.、六耳铃Bl.Laciniata (Roxb.)DC均有较好的药用价值。艾纳香为多年生草本植物,全草入药,主治感冒、风湿性关节炎、产后风痛、痛经;外用治跌打损伤、疮疖痛肿、湿疹、皮炎等,是重要中药材冰片的原材料。艾纳香人工种植有较长的历史,早在1938年前后,罗甸、望谟两县民间就有种植艾纳香提取艾粉的习俗,历史上罗甸是中国艾纳香人工种植原产地,有丰富的艾纳香植物资源,目前,种苗繁殖困难是制约艾纳香植物规模化种植发展利用的主要原因。

艾纳香植物为头状花序,花序外围的雌花多层,能育,中央的两性花多数或较少数,能育或极少不完全发育。外围种子育性好,但成熟后易随风飘逝,不易采集;内层种子易采集,但育性差,有休眠现象。何元农等(2007)对艾纳香种子进行人工育苗试验发现,艾纳香种子有一定的休眠期,低温有助于打破种子休眠,但发芽率低于5.8%,难于人工育苗为生产上提供大量的种子实生苗。艾纳香种植长期以枝干、根系的萌生苗分生繁殖为主。何元农等(2004)对艾纳香分生苗的类型和移栽性能进行系统研究,发现艾纳香无性繁殖以根生苗为主要苗源,苗质参差不齐导致苗源地点、供苗量和时间以及种苗群体统一标准的可控性有限,是艾纳香GAP规模化基地建设的一大障碍;通过对罗甸、荔波地区1995年-2003年多个艾纳香规模化种植基地种苗移栽成活率较低的原因进行探讨,发现茎腐病是导致分生苗移栽死亡的主要病因;分生苗根系弱,远距离运输易失水萎蔫也是导致移栽死亡的主要原因(何元农等,2005)。

艾纳香属植物组培快繁育苗技术研究目前有少量报道。姚绍嫦等(2012)对馥芳艾纳香(Bl. Aromatica)种用带腋芽茎段采用常规氯化汞消毒后接种在MS+2.0mg/L6-BA +0.2mg/LNAA培养基上诱导产生丛生芽,用MS+2.0mg/L6-BA+0.5mg/LKT+0.2mg/LNAA进行继代增殖,最适生根培养基为1/2MS+0.3mg/LNAA;并对该方法申报专利保护(申请号:20120051539.0)。张明珍(2007)在硕士学位论文“滇桂艾纳香组织培养体系建立的研究”中,认为不同外植体需用不同比例的次氯酸钠、氯化汞和双氧水溶液组合后才能达到较好的消毒效果;初诱导和继代增殖最佳培养基为MS培养基,最佳激素组合为6-BA+NAA,最佳生根培养为1/2MS+NAA。包国庆等(2007)在“滇桂艾纳香药材的快速繁殖方法”专利申请说明书中做了与张明珍硕士论文相似的论述。菲律宾国家农业部的Thelma L.(2009)博士用艾纳香种幼嫩茎尖用MS+1.0mg/L6-BA进行茎段培养,用MS+0.5-1.0mg/LNAA可从茎段诱导生根。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:提供一种能在短时间内培育出遗传性状与优质母本相同的大量优质种苗的方法。

本发明的技术方案是:

一种艾纳香的快速繁殖方法,包含以下步骤:

(1)外植体抗褐化及消毒处理:将从野外采集的艾纳香带叶柄的嫩叶或带腋芽的幼嫩茎段外植体冲洗干净后,用3000mg/L维生素C+2000 mg/L庆大霉素的蒸馏水溶液浸泡60min,然后用2000mg/L高锰酸钾蒸馏水溶液浸泡30min,用蒸馏水冲洗3-5次,再用1000mg/L氯化汞水溶液常规消毒;

(2)初诱导培养:将消毒后的外植体接种在基本培养基+0.5mg/L TDZ+1.0mg/L 6-BA+0.5 mg/L IBA的初诱导培养基上进行培养;

(3)继代增殖培养:将初诱导培养产生的丛生芽剪切成带茎段完整叶片后接种于基本培养基+0.2mg/L TDZ +0.8mg/L 6-BA+0.2 mg/L IBA的继代增殖培养基上进行培养;

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