[发明专利]半导体材料微区应力测试系统无效
申请号: | 201310194074.9 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN103308224A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 高寒松;陈涌海;张宏毅;刘雨 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G01L1/24 | 分类号: | G01L1/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体材料 应力 测试 系统 | ||
1.一种半导体材料微区应力测试系统,用于测试样品(S)的微区应力,其特征在于:该系统包括线偏振激光源(1)、光相位调制器(2)、分光器(3)、物镜(4)、载物台(5)、检偏器(6)、斩波器(7)和信号采集系统(8);其中,
所述线偏振激光源(1)用于产生线偏振激光,并将产生的线偏振激光送到光相位调制器;
所述光相位调制器(2)用于所述线偏振激光在该光相位调制器(2)的主轴和它的垂直方向上产生固定的相位差;
所述载物台(5)用于承载所测试材料的样品,并调节该测试材料样品的位置;
所述分光器(3)用于使经过所述光相位调制器(2)光入射到样品(S),同时,使由样品(S)的反射光透射,从而将样品(S)的入射光和反射光分开;
检偏器(6)用于接收所述样品(S)的反射光,检测特定方向上光波的振幅;
斩波器(7)用于将光波调制成特定频率的交流信号;
信号采集系统(8)用于接收所述样品(S)的反射光,将其转换为电信号后进行处理,得到样品(S)的微区应力。
2.如权利要求1所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:所述信号采集系统(8)包括:
一探测器(81),用于接收所述样品(S)的反射光,将接收到的光信号转化为电信号;
一第一锁相放大器(82),用于测量所述斩波器(7)将光波调制成的低频分量;
一第二锁相放大器(83)和一第三锁相放大器(84),其分别用于测量所述光弹性调制器的一倍频和二倍频分量;
一数据采集卡(85),用于接收所第一、第二、第三锁相放大器(82,83,84)的输出信号,并把它转化为计算机识别的数字信号。
一计算机(86),用于接收并存储数据采集卡(85)得到的数据,并对数据采集卡(85)采集到的信号进行运算处理。
3.如权利要求1所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:所述线偏振激光源(1)包括激光器和起偏器,所述起偏器用于产生偏振度较高的线偏振光,以便提高激光的偏振度。
4.如权利要求1所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:还包括一个图像撷取装置,用于接收从所述检偏器(6)出射的激光,以撷取样品表面的图像。
5.如权利要求4所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:还包括一个照明光源,用于对样品表面照明。
6.如权利要求1所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:还包括物镜(4),其位于所间谍分光器(3)和样品(S)之间,样品的入射光经物镜(4)被汇聚在样品(S)上。
7.如权利要求1所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:
所述线偏振激光源(1)包括激光光源(11)、空间滤波器(12)和起偏器(13),从激光光源(11)出射的偏振激光经过所述空间滤波器(12)和所述起偏器(13)。
8.如权利要求7所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:所述起偏器(13)和检偏器(6)是方解石制成的格兰泰勒型激光偏振棱镜。
9.如权利要求1所述的半导体材料微区应力测试系统,其特征在于:所述光相位调制器(2)的主轴方向与激光偏振方向相同。
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