[发明专利]一种硼组合物包覆硅纳米浆料的制备方法及其应用有效
申请号: | 201310194574.2 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN103280401A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 刘国钧;杨小旭;蒋红彬;钟朝伟;沈晓东 | 申请(专利权)人: | 刘国钧 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L31/18;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 刘宪池 |
地址: | 436000 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组合 物包覆硅 纳米 浆料 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种硼组合物包覆硅纳米浆料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤
1)制备纳米硅悬浊液;
2)在步骤1)制得的纳米硅悬浊液里进行硼聚合包覆反应,反应过程通入保护气氛,同时进行搅拌,将纳米硅悬浊液和含硼高聚物得到均匀的混合分散,从而制得含硼纳米硅浆料,所述含硼纳米硅浆料的粘度在1.0PaS-15.0PaS。
2.根据权利要求1所述的硼组合物包覆硅纳米浆料的制备方法,其特征在于,具体步骤为:
1)制备纳米硅悬浊液:利用高能球磨机将硅块研磨1-4小时得到10-100微米的小硅粒;利用保护气氛气流将硅粉输送入等离子体汽化室,小硅粒通过高温等离子体火焰瞬间汽化, 经过冷却、成核、生长步骤形成粒径在10-100nm的纳米硅;投入喷雾汽化溶剂,溶剂雾珠与纳米硅结合沉降,得到纳米硅的悬浊液;
2)制备高聚硼包覆纳米硅浆料:在氮气保护下,取10-60份纳米硅悬浊液置于容器中,加入20份-60份含硼化合物、1份-50份的醇化合物、5份-10份的有机溶剂;搅拌均匀,控制温度在60℃-120℃,连续回流1-4小时,得到粘度为1.0-15.0PaS含硼纳米硅浆料。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中硅粉输送速度为每小时200-600克;步骤1)中雾化溶剂输送速度为每小时400-2000克。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中雾化溶剂含有分散介质,所述雾化溶剂与分散介质的重量比100:1~100:3。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤1)中所述冷却步骤可使用冷却气体和循环冷却水,冷却气体为氩气或氮气中一种或两种混合气体。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中所述硼化合物为硼酸、氧化硼或环硼氮烷中的一种或多种混合物。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中所述醇化合物为异丙醇、松油醇或丙烯酸异冰片环己醇中的一种或多种混合物。
8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤2)中所述雾化溶剂为甲苯、异丙醇或环硼氮烷中的一种或多种混合物。
9.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述分散介质为三辛基氧化磷或磷酸三辛酯中的一种或多种混合物。
10. 利用权利要求1或2任一项所述的方法制备的含硼纳米硅浆料,其特征在于,可用于制备太阳能电池,使用工业丝网印刷机将浆料印刷在太阳能电池硅片上和通常扩散工艺可对硅片基板进行选择性掺杂,并形成高、低硼掺杂区域,硼浆覆盖区为高掺杂区,非覆盖区为低掺杂区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造