[发明专利]一种硼掺杂纳米硅材料的制备方法及其装置有效
| 申请号： | 201310194667.5 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104645887A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡立超 | 申请（专利权）人： | 蔡立超 |
| 主分类号： | B01J3/06 | 分类号： | B01J3/06 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司 37108 | 代理人： | 张德平 |
| 地址： | 250014 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 纳米 材料 制备 方法 及其 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种合成金刚石用绝缘元件，其特征在于：包括绝缘管和绝缘片，和绝缘片扣装在绝缘管上，绝缘管和绝缘片的材料由氧化镁、氧化锆、六方氮化硼和水玻璃组成，氧化镁和氧化锆的重量比为1:3—3:1,六方氮化硼的重量为氧化镁和氧化锆重量之和的4-6%，水玻璃的重量为氧化镁、氧化锆和六方氮化硼重量之和的10-15%。
2.根据权利要求1所述的一种合成金刚石用绝缘元件，其特征在于：所述的氧化镁为电工级氧化镁，纯度≥95%，粒度为-200目。
3.根据权利要求1所述的一种合成金刚石用绝缘元件，其特征在于：所述的氧化锆纯度大于99%。
4.根据权利要求1所述的一种合成金刚石用绝缘元件，其特征在于：所述的六方氮化硼纯度大于99%。
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