[发明专利]镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料、制备方法及其应用无效

专利信息
申请号: 201310194875.5 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN104178166A 公开(公告)日: 2014-12-03
发明(设计)人: 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: C09K11/84 分类号: C09K11/84;H01L33/50
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 掺杂 硫代镓酸镧上 转换 发光 材料 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料,其特征在于:其化学通式为LaGaS3:xPr3+,其中,x为0.002~0.06。

2.根据权利要求1所述的镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料,其特征在于,所述x为0.03。

3.一种镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、根据LaGaS3:xPr3+各元素的化学计量比称取La2S3,Ga2S3和Pr2S3粉体,其中,x为0.002~0.06;

步骤二、将所述步骤一中称取的粉体混合均匀得到前驱体;

步骤三、将所述前驱体在800℃~1100℃下灼烧0.5小时~5小时,

步骤四、将所述步骤三中处理后的前躯体冷却到100℃~300℃,再保温0.5小时~3小时,冷却到室温,得到化学通式为LaGaS3:xPr3+的镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料。

4.根据权利要求3所述的镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料的制备方法,其特征在于,所述La2S3,Ga2S3和Pr2S3粉体各组分摩尔比为(0.94~0.998):1:(0.002~0.06)。

5.根据权利要求3所述的镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料的制备方法,其特征在于,所述La2S3,Ga2S3和Pr2S3粉体各组分摩尔比为0.97:1:0.03。

6.根据权利要求3所述的镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料的制备方法,其特征在于,步骤二中所述混合是将所述粉体在刚玉钵中研磨20分钟~60分钟。

7.根据权利要求3所述的镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料的制备方法,其特征在于,步骤三中将所述前驱体在950℃下灼烧3小时。

8.根据权利要求3所述的镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料的制备方法,其特征在于,步骤四中的冷却温度为200℃,保温时间为2小时。

9.一种有机发光二极管,该有机发光二极管包括依次层叠的基板、阴极、有机发光层、阳极及透明封装层,其特征在于,所述透明封装层中分散有镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料,所述镨掺杂硫代镓酸镧上转换发光材料的化学式为LaGaS3:xPr3+,其中,x为0.002~0.06。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管,其特征在于,所述x为0.03。

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