[发明专利]可自行产生正电压或负电压的切换电路有效

专利信息
申请号: 201310195031.2 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN103296881A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 廖冠超 申请(专利权)人: 矽创电子股份有限公司
主分类号: H02M3/06 分类号: H02M3/06;H02M3/07;G09G3/36
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 自行 产生 电压 切换 电路
【权利要求书】:

1.一种可自行产生正电压或负电压的切换电路,其特征在于,其包括:

一第一开关,具有一第一端与一第二端,该第一端接收一电源,该第一开关的该第二端耦接一储能元件的一第一端;

一第二开关,具有一第一端与一第二端,该第二开关的该第一端耦接该储能元件的一第二端,该第二开关的该第二端接收一参考电位;

一第三开关,具有一第一端与一第二端,该第三开关的该第一端耦接一输入端,该第三开关的该第二端耦接该储能元件的该第一端;以及

一第四开关,具有一第一端与一第二端,该第四开关的该第一端耦接该储能元件的该第二端,该第四开关的该第二端耦接一输出端。

2.如权利要求1项所述的切换电路,其特征在于,其中当该第一开关导通时,该第二开关也导通,以该电源对该储能元件进行充电。

3.如权利要求2项所述的切换电路,其特征在于,其中该第一开关包含:

一第一N型井,位于一第一P型井内,该第一P型井位于一P型基底;

一第一P型掺杂区,位于该第一N型井内,并耦接于该储能元件的该第一端;

一第二P型掺杂区,位于该第一N型井内,并位于该第一P型掺杂区的一侧;

一第一栅极层,位于该第一P型掺杂区与该第二P型掺杂区之间,并在该第一P型掺杂区与该第二P型掺杂区之间的上方;以及

一第一N型掺杂区,位于该第一N型井内,并位于该第二P型掺杂区的一侧。

4.如权利要求2所述的切换电路,其特征在于,其中当该第三开关导通时,该第四开关也导通,以输出该储能元件所储存的电压,以产生一正电压或一负电压。

5.如权利要求3所述的切换电路,其特征在于,其中第二开关包含:

一第二N型井,位于该第一P型井内;

一第二P型井,位于该第二N型井内;

一第三N型掺杂区,位于该第二P型井内,并耦接于该储能元件的该第二端;

一第四N型掺杂区,位于该第二P型井内,并位于该第三N型掺杂区的一侧,且耦接于该接地端;以及

一第二栅极层,位于该第三N型掺杂区与该第四N型掺杂区之间,且在该第三N型掺杂区与该第四N型掺杂区的上方;

一第三P型掺杂区,位于该第二P型井内,并位于该第四N型掺杂区的一侧,且耦接于该输出端;

其中,该第二N型井为一独立井,以隔离其它组件。

6.如权利要求5所述的切换电路,其特征在于,其中第三开关包含:

一第三N型井,位于该第一P型井内;

一第四P型掺杂区,位于该第三N型井内,并耦接于该储能元件的该第一端;

一第五P型掺杂区,位于该第三N型井内,并耦接于该输入端;

一第三栅极层,位于该第四P型掺杂区与该第五P型掺杂区之间,且在该第四P型掺杂区与该第五P型掺杂区的上方;以及

一第四N型掺杂区,位于该第三N型井内,并位于该第五P型掺杂区的一侧。

7.如权利要求6所述的切换电路,其特征在于,其中第四开关包含:

一第四N型井,位于该第一P型井内;

一第三P型井,位于该第四N型井内;

一第五N型掺杂区,位于该第三P型井内,并耦接于该储能元件的该第二端;

一第六N型掺杂区,位于该第三P型井内,并位于该第五N型掺杂区的一侧,且耦接于该输出端;

一第四栅极层,位于该第五N型掺杂区与该第六N型掺杂区之间,并在该第五N型掺杂区与该第六N型掺杂区之间的上方;以及

一第六P型掺杂区,位于位于该第三P型井内,并位于该第六N型掺杂区的一侧,且耦接于该输出端;

其中,该第四N型井为一独立井,以隔离其它组件。

8.如权利要求1所述的切换电路,其特征在于,其中该储能元件为一电容或一电感。

9.如权利要求1所述的切换电路,其特征在于,其中该第一开关、该第二开关、该第三开关与该第四开关为一场效晶体管、一传输闸或一双极性接面晶体管。

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