[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

包括沟槽的衬底；

第一电极，布置在所述沟槽的底部上；

第二电极，布置在所述第一电极上，第一绝缘层布置在所述第一电极与所述第二电极之间；

第一触点，被布置成与所述第一电极的延伸部接触；以及

第二触点，被布置成与所述第二电极的延伸部接触，

其中，所述第一电极的延伸部在所述衬底的第一方向上延伸，并且所述第二电极的延伸部在所述衬底的第二方向上延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括设置在所述沟槽的下表面和侧壁上的第二绝缘层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽通过沟槽的交叉而形成。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

第三绝缘层，形成在所述第二电极上；

第三电极，形成在所述第三绝缘层上；以及

第四电极，形成在所述衬底之下。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一电极是屏蔽电极，所述第二电极是栅电极，所述第三电极是源电极，并且所述第四电极是漏电极，并且

所述屏蔽电极被配置成根据施加到所述第一触点的电压，改变所述半导体器件内的电场图案。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一触点和所述第二触点是金属图案。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一电极电连接至第三电极。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一电极位于所述第一触点之下且形成在所述衬底上，其中所述第二绝缘层布置在所述衬底与所述第一电极之间，并且

所述第二电极位于所述第二触点之下且形成在所述衬底上，其中所述第一绝缘层布置在所述衬底与所述第二电极之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极位于所述第一触点之下且不与所述第二电极重叠，并且

所述第二电极位于所述第二触点之下且不与所述第一电极重叠。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极和所述第二电极包括多晶硅。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

提供包括沟槽的衬底；

在所述沟槽的底部上形成第一电极；

在所述第一电极上形成第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间形成第一绝缘层；

将被布置成与所述第一电极的延伸部接触的第一触点连接至所述第一电极；以及

将被布置成与所述第二电极的延伸部接触的第二触点连接至所述第二电极，

其中，所述第一电极的延伸部在所述衬底的第一方向上延伸，并且所述第二电极的延伸部在所述衬底的第二方向上延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在形成所述第一电极之前，在所述沟槽的下表面和侧壁上以及在所述衬底上形成第二绝缘层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述沟槽通过沟槽的交叉而形成。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在所述第二电极上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成第三电极；以及

在所述衬底的下部上形成第四电极。