[发明专利]铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件

权利要求书

1.一种铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

陶瓷靶材的制备:分别称取R₂O₃，In₂O₃，B₂O₃，EuO₂和Dy₄O₇粉体，均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制得陶瓷靶材，其中，R₂O₃，In₂O₃，B₂O₃，EuO₂和Dy₄O₇的摩尔比为0.5:1.5:2:x:0.25z；

将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为45～95mm，衬底温度为250℃～750℃，镀膜激光的能量为80～300W，过程中通入流量为10～40sccm的氧气，工作压强为0.5～5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:RIn₃(BO₃)₄:xEu³⁺,zDy³⁺；其中，:RIn₃(BO₃)₄是基质，Eu³⁺和Dy³⁺激活光离子，为发光薄膜的发光中心，R选自Y,La,Gd或Lu元素，x的取值范围为0.01～0.05，z的取值范围为0.01～0.08。

2.根据权利要求1所述的铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述陶瓷靶材制备过程中的烧结温度为1250℃。

3.根据权利要求1所述的铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述抽真空处理是采用机械泵和分子泵把腔体进行的。

4.根据权利要求1所述的铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，ITO玻璃衬底在放入腔体前需清洗处理:先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗带ITO玻璃衬底，并用对其进行氧等离子处理，然后再放入真空腔体中。

5.根据权利要求1所述的铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述腔体真空度为5.0×10^-4Pa。

6.根据权利要求1所述的铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述镀膜工艺参数为:基靶间距为60mm，衬底温度为500℃，镀膜激光的能量为150W，过程中通入流量为20sccm的氧气，工作压强为3Pa。

7.根据权利要求1所述的铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，x的取值为0.02，z的取值为0.04。

8.一种采用权利要求1至7任一所述制备方法制得的铕镝共掺杂稀土硼铟酸盐的发光薄膜。