[发明专利]使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基底，包括p沟道金属氧化物半导体区域和n沟道金属氧化物半导体区域；

绝缘层中的第一接触孔，暴露位于p沟道金属氧化物半导体区域中的第一抬升源极/漏极区域；

第一金属接触，在第一接触孔中位于第一抬升源极/漏极区域上；

第一金属硅化物，在第一抬升源极/漏极区域中接触第一金属接触，第一金属硅化物包括远离第一抬升源极/漏极区域的表面的第一硅化物下轮廓，第一硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，第一金属硅化物包括与第一硅化物下轮廓相对的平坦顶部；

绝缘层中的第二接触孔，暴露位于n沟道金属氧化物半导体区域中的第二抬升源极/漏极区域；

第二金属接触，在第二接触孔中位于第二抬升源极/漏极区域上；以及

第二金属硅化物，在第二抬升源极/漏极区域中接触第二金属接触，第二金属硅化物包括远离第二抬升源极/漏极区域的表面的第二硅化物下轮廓，第二硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，第二金属硅化物包括与第二硅化物下轮廓相对的凸起顶部，其中，凸起顶部具有朝向第二金属硅化物的尖端区域凹进的中心部分。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，第一金属硅化物包括上凹进，上凹进具有底部和侧壁，其中，上凹进的底部接触第一金属接触，上凹进的底部与第一硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与第一硅化物下轮廓的侧壁分开的距离。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，第一抬升源极/漏极区域包括外延生长的抬升源极/漏极区域。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，第一硅化物下轮廓和第二硅化物下轮廓在与相应的直接相邻的栅极结构相关的沟道区域的水平上方抬升。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，p沟道金属氧化物半导体区域和n沟道金属氧化物半导体区域分别包括装置的存储区域和逻辑区域，所述装置还包括：

绝缘层中的第三接触孔，暴露位于基底的外围区域中的第三抬升源极/漏极区域，第三抬升源极/漏极区域比第一抬升源极/漏极区域和第二抬升源极/漏极区域宽；

第三金属接触，在第三接触孔中位于第三抬升源极/漏极区域上；以及

第三金属硅化物，在第三抬升源极/漏极区域中接触第三金属接触，第三金属硅化物包括远离第三抬升源极/漏极区域的表面的第三硅化物下轮廓，第三硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，第三金属硅化物包括与第三硅化物下轮廓相对的平坦部分。