[发明专利]正电子发射断层成像的检测器模组及其制造方法

权利要求书

1.一种正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，包括：

多个光传感器；

第一闪烁晶体阵列，所述第一闪烁晶体阵列包括多个闪烁晶体，所述晶体与所述光传感器耦合；

其中，所述第一闪烁晶体阵列包括第一矩形截面晶体块，第一五边形截面晶体块和第二五边形截面晶体块，且所述第一矩形截面晶体块位于所述第一和第二五边形截面晶体块之间。

2.如权利要求1所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，进一步包括第二矩形截面晶体块，所述第二矩形截面晶体块位于所述第一和第二五边形截面晶体块之间。

3.如权利要求2所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，进一步包括k个矩形截面晶体块，所述k个矩形截面晶体块位于所述第一和第二矩形截面晶体块之间，其中，k为大于或等于1的整数。

4.如权利要求3所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，进一步包括N个闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列中的晶体与所述光传感器耦合，组成连续的多边形探测器环，其中，N为大于或等于1的整数。

5.如权利要求4所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，

所述第一五边形截面晶体块包括与所述第一矩形截面晶体块相邻的第一边，所述第一五边形截面晶体块还包括第二边和第三边，且所述第一边与所述第二、三边均垂直；

所述第二五边形截面晶体块包括与所述第二矩形截面晶体块相邻的第一边，所述第二五边形截面晶体块还包括第二边和第三边，且所述第一边与所述第二、三边均垂直。

6.如权利要求5所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，

所述第一五边形截面晶体块包括第四边，所述第四边与所述第一五边形截面晶体块第一、二、三边之间具有第一锥度角；

所述第一五边形截面晶体块包括第五边，所述第五边与所述第一五边形截面晶体块第一、二边之间具有第二锥度角；

所述第一锥度角和所述第二锥度角相等。

7.如权利要求6所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，所述第一、二锥度角均等于180°/N。

8.如权利要求6所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，所述多个光传感器均为光电倍增管。

9.如权利要求8所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其中，第一光电倍增管和第二光电倍增管相互平行；

所述第一、第二光电倍增管位于第三、第四光电倍增管之间；

所述第三、第四光电倍增管不相互平行；

第三、第四光电倍增管与所述第一、第二光电倍增管均不平行。

10.一种正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，包括：

多个光电倍增管和多个闪烁晶体阵列，所述多个光电倍增管与所述多个闪烁晶体阵列耦合形成一个连续的探测器环，其中

每个闪烁晶体阵列包括多个矩形截面晶体块和多个不对称的五边形截面晶体块；

每个矩形截面的晶体块位于一对不对称的五边形截面晶体块之间。

11.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，每个矩形截面晶体块与一个不对称的五边形截面晶体块和一个矩形截面晶体块相邻。

12.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，一对矩形截面晶体块位于一对不对称的五边形截面晶体块之间。

13.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，三个矩形截面晶体块位于一对不对称的五边形截面晶体块之间。

14.如权利要求10所述的正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，所述连续的探测器环包括第一和第二轴向末端，所述第一、二轴向末端包括多个闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列包括多个轴向长度大于周向长度的晶体块。

15.一种正电子发射断层成像的检测器模组，其特征在于，包括：

多个光电倍增管和多个闪烁晶体阵列，所述多个光电倍增管与所述多个闪烁晶体阵列形成连续的探测器环，所述探测器环包括轴向和周向，其中

所述多个光电倍增管与所述多个闪烁晶体阵列耦合；

所述多个闪烁晶体阵列包括多个在周向上交替排列的矩形截面晶体块和五边形截面晶体块。