[发明专利]掩膜板覆盖膜设计方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种掩膜板覆盖膜设计方法。

背景技术

光刻生产中,为了防止掩膜板的图形受到环境的污染和直接损伤，在掩膜板使用时使用的掩膜板会有一层覆盖膜（本文中称为掩膜板覆盖膜）以保护图形免受外界的污染和损伤。

最初，为了保持和外界的气压平衡（保持覆盖膜两面的空气压力稳定），在覆盖膜的单个侧面上设计了一个气孔。但这个气孔同时也使空气中的氨气和硫酸根离子进入到内部和掩膜板接触，从而反应生成不透光的结晶体。

随着光刻进入193纳米时代，为了防止结晶产生，掩膜板需要保持在干燥的过滤空气中，防止环境中的氨气和硫酸根起反应生成结晶物。目前业界普遍使用把掩膜板保持在干燥的纯净空气中，减少结晶的发生。这时，一个气孔就不能保证内部环境的交换率和均匀性，在实际使用中，发现边缘和角落位置的结晶物还是比较多。而且，由于当初气孔的设计是为了保持气压稳定，在新的气体纯化功能的需求下，就会出现一些问题。

具体地，图1示意性地示出了根据现有技术的掩膜板覆盖膜。第一侧面21表示图中上侧的掩膜板覆盖膜1侧边的侧视图，第二侧面22表示图中右侧的掩膜板覆盖膜1侧边的侧视图，第三侧面23表示图中下侧的掩膜板覆盖膜1侧边的侧视图，第四侧面24表示图中左侧的掩膜板覆盖膜1侧边的侧视图。其中，只有表示掩膜板覆盖膜1的下侧边的第四侧面24上布置了一个气孔3。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够降低整块掩膜板结晶气体的含量，降低结晶的反应，从而增加掩膜板的使用时间和使用寿命的掩膜板覆盖膜设计方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种掩膜板覆盖膜设计方法，其包括：

掩膜板覆盖膜制作步骤，用于制作掩膜板覆盖膜膜体；

气孔形成步骤，用于在掩膜板覆盖膜膜体四个侧边分别布置多个气孔。

优选地，所述掩膜板覆盖膜设计方法用于设计193纳米光源的掩膜板覆盖膜。

优选地，掩膜板覆盖膜膜体四个侧边上的气孔的尺寸相同。

优选地，掩膜板覆盖膜膜体四个侧边中的各个侧边上的多个气孔等间距布置。

优选地，掩膜板覆盖膜膜体四个侧边中的相对侧边上的气孔数量相等，并且对应布置。

优选地，掩膜板覆盖膜膜体四个侧边中的较长的两个相对侧边上的气孔数量大于四个侧边中的较短的两个相对侧边上的气孔数量。

本发明在掩模版的生产使用中起到了很大的作用，主要的效果包括：解决了覆盖膜内部气体纯化的效率和均匀性，保证了掩膜板图形区域接触气体的纯净，使整个图形区域的结晶能够保持在一个很低的水准；保证了覆盖膜内外两面气压变化的稳定性，由于气流的快速流通，内部的气压可以很好的和外部保持一致；由于气孔的尺寸使用目前业界的标准尺寸，孔径非常小，因此增加气孔数量，对侧面的坚固性不会造成影响。

本发明通过更改覆盖膜侧面的设计，增加气孔，保证每个侧面和角落都能有气体的交换。本发明解决了一个气孔进行气体交换的流通性及交换率的限制；并且使覆盖膜的边缘，特别是角落的气体能够及时进行纯化和干燥。降低了整块掩膜板结晶气体的含量，本发明降低了结晶的反应，从而增加了掩膜板的使用时间和使用寿命。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的掩膜板覆盖膜。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的掩膜板覆盖膜设计方法的流程图。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的掩膜板覆盖膜设计方法的示意图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

发明人有利地发现，在现有技术中，如图1所示，由于只有一个气孔3，在外部气压高于内部时，外部气流4进入内部，并且等到内部气压大于外部时才会使气体流出，当气压平衡时，基本上就没有气体的流动了。首先，在开始的气压不平衡阶段，由于交替变化，因此覆盖膜的表面就会根据气压的变化出现变形。然后就是气体交换的量比较少，并且边缘和角落基本上没有纯化。这也是目前这些位置会很快发现结晶问题的一个原因。