[发明专利]贴面式发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种贴面式LED发光器件，包括芯片结构和承载基板，其中

芯片结构包括：

LED外延结构，具有相对的两个表面，其中第一表面为出光面；

P、N电极焊盘，位于所述外延结构的第二表面上，具有足够的厚度以支撑所述LED外延结构，所述P、N电极焊盘分别具有相对的两个表面，其中第一表面靠近所述LED外延结构；

绝缘体，形成于所述P、N焊盘之间，防止所述P、N电极焊盘发生短路；

所述芯片通过所述P、N电极焊盘直接SMT封装于所述承载基板上。

2.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述绝缘体具有相对的两个表面，其中第一表面靠近所述LED外延结构，第二表面凸出于所述P、N电极焊盘的任一第二表面，防止所述P、N电极焊盘直接用于SMT封装时发生短路。

3.根据权利要求2所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述绝缘体的熔点或软化点低于所述P、N电极焊盘的熔点。

4.根据权利要求2所述的贴面式LED发光器件，其特征在于： 所述绝缘体的材料选用胶体材料。

5.根据权利要求2所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述绝缘体的第二表面与所述P、N电极焊盘的任一第二表面的高度差为20μm~100 μm。

6.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述P、N焊盘的边缘超过LED外延结构的边缘，作为外延结构之支撑结构。

7.根据权利要求6所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述P、N电极焊盘的边缘超过LED外延结构的边缘，超出距离大于或等于30 um，以防止P、N电极焊盘直接SMT焊接于承载基板时产生所述LED外延结构的侧壁短路。

8.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述P、N电极焊盘的第二表面齐平。

9.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述P、N电极焊盘的间隙为20~150μm。

10.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述电极焊盘的厚度为50μm以上，以支撑所述LED外延结构。

11.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述P、N电极焊盘的面积基本相同。

12.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述P、N电极焊盘和绝缘体占满所述LED外延结构的整个表面。

13.根据权利要求1所述的贴面式LED发光器件，其特征在于：所述P、N电极焊盘与绝缘体间紧密接合。

14.一种贴面式LED发光器件的制作方法，步骤如下：

外延生长：采用外延生长工艺在一生长衬底上形成LED外延结构；

芯片制作：在所述LED外延结构的表面定义P、N电极区及隔离区，并在所述各区域分别制作P、N电极焊盘和绝缘体，其中所述P、N电极焊盘具有足够的厚度以支撑所述LED外延结构，所述绝缘体形成于所述P、N焊盘之间，防止所述P、N电极焊盘发生短路；移除生长衬底，并单一化所述LED外延结构形成LED芯片；

SMT封装：提供一承载基板，将所述LED芯片的P、N电极焊盘直接SMT封装于所述承载基板上，形成贴面式LED发光器件。

15.根据权利要求14所述的贴面式LED发光器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤2）中：形成的绝缘体具有相对的两个表面，其中第一表面靠近所述LED外延结构，第二表面凸出于P、N电极焊盘的任一第二表面，防止所述P、N电极焊盘直接用于SMT封装时发生短路。

16.根据权利要求15所述的贴面式LED发光器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤2）中，所述绝缘体采用的材料的熔点或软化点低于所述P、N电极焊盘的熔点。

17.根据权利要求14所述的贴面式LED发光器件的制作方法，其特征在于：在所述步骤3）中，所述承载基板表面涂有焊料层，其厚度小于或等于所述绝缘体第二表面与所述P、N电极焊盘的任一第二表面的高度差。

18.根据权利要求14所述的贴面式LED发光器件的制作方法，其特征在于：所述绝缘体的材料选用胶体材料。