[发明专利]大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法有效
申请号: | 201310196038.6 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN103305911A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 张明福;聂颖;郭怀新;韩杰才;赵盼盼;闫润泽 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B29/24 | 分类号: | C30B29/24;C30B11/00 |
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地址: | 150080 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 尺寸 re yap 系列 激光 晶体 水平 定向 凝固 制备 方法 | ||
1.一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,所述的Re为Nd、Yb、Ce、Er、Ho或Tm,其特征在于,方法如下:
(1)真空氛围下化料:将Re:YAP块状预结晶料装入钼制舟状坩埚内,装入单晶炉,装完料后将炉膛抽至小于等于5×10-3Pa的高真空,将炉温升到高于晶体熔点5-10℃加热至原料熔化,调节功率,使熔体对流形态稳定,待原料完全熔化,保持1-5h;
(2)引晶:当预结晶料充分熔化后观察液流,调节功率,当熔体遇到籽晶时,籽晶既不生长也不熔化时,温度为合适引晶;选用b轴(010)取向Re:YAP晶体作籽晶;确定合适温度后并保持稳定温度30min后,开始引晶,保持合适功率,使液面对流形态稳定;使熔体接触籽晶3-5mm,保持熔晶5-10min,开始沿水平方向拉动坩埚引晶,引晶速率0.5mm/h-1mm/h;
(3)放肩阶段:放肩角度为90°,放肩速率为0.5mm/h-1mm/h,保持功率缓慢增加;
(4)等宽生长阶段:生长速率为1mm/h-2mm/h,保持功率缓慢增加,以达到固液界面的稳定结晶;
(5)冷却及退火过程:在冷却过程中,初始降温温度为10-20℃/h,降至原位退火温度处;原位退火温度范围为1000℃-1400℃,退火时间20-30h;随后再次降温至室温,降温温度为30-50℃/h。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(1)装入钼制舟状坩埚内的Re:YAP块状预结晶料为3kg-6kg。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(2)所述的籽晶,晶向采用(010)方向,籽晶的位置位于坩埚的几何中心处。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(3)所述的功率保持增加,其温度保持在±2℃范围内。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(4)所述的功率保持增加,其温度保持在±2℃范围内。
6.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:所述的钼制坩埚为舟形钼坩埚。
7.根据权利要求1-5任一项所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法制备的大尺寸Re:YAP系列激光晶体为舟形平板状晶体。
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