[发明专利]大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法有效

专利信息
申请号: 201310196038.6 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103305911A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 张明福;聂颖;郭怀新;韩杰才;赵盼盼;闫润泽 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/24 分类号: C30B29/24;C30B11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150080 黑龙江省哈尔滨*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 尺寸 re yap 系列 激光 晶体 水平 定向 凝固 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,所述的Re为Nd、Yb、Ce、Er、Ho或Tm,其特征在于,方法如下: 

(1)真空氛围下化料:将Re:YAP块状预结晶料装入钼制舟状坩埚内,装入单晶炉,装完料后将炉膛抽至小于等于5×10-3Pa的高真空,将炉温升到高于晶体熔点5-10℃加热至原料熔化,调节功率,使熔体对流形态稳定,待原料完全熔化,保持1-5h; 

(2)引晶:当预结晶料充分熔化后观察液流,调节功率,当熔体遇到籽晶时,籽晶既不生长也不熔化时,温度为合适引晶;选用b轴(010)取向Re:YAP晶体作籽晶;确定合适温度后并保持稳定温度30min后,开始引晶,保持合适功率,使液面对流形态稳定;使熔体接触籽晶3-5mm,保持熔晶5-10min,开始沿水平方向拉动坩埚引晶,引晶速率0.5mm/h-1mm/h; 

(3)放肩阶段:放肩角度为90°,放肩速率为0.5mm/h-1mm/h,保持功率缓慢增加; 

(4)等宽生长阶段:生长速率为1mm/h-2mm/h,保持功率缓慢增加,以达到固液界面的稳定结晶; 

(5)冷却及退火过程:在冷却过程中,初始降温温度为10-20℃/h,降至原位退火温度处;原位退火温度范围为1000℃-1400℃,退火时间20-30h;随后再次降温至室温,降温温度为30-50℃/h。 

2.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(1)装入钼制舟状坩埚内的Re:YAP块状预结晶料为3kg-6kg。 

3.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(2)所述的籽晶,晶向采用(010)方向,籽晶的位置位于坩埚的几何中心处。 

4.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(3)所述的功率保持增加,其温度保持在±2℃范围内。 

5.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:步骤(4)所述的功率保持增加,其温度保持在±2℃范围内。 

6.根据权利要求1所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其特征在于:所述的钼制坩埚为舟形钼坩埚。 

7.根据权利要求1-5任一项所述的一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法制备的大尺寸Re:YAP系列激光晶体为舟形平板状晶体。 

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