[发明专利]一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法有效
| 申请号： | 201310196276.7 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103255388A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 陈建维;侯多源;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷酸 玻璃 薄膜 等离子体 化学 沉积 方法 | ||
1.一种磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：
执行磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤；
磷酸硅玻璃薄膜沉积；
其中，磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤中通入一反应气体，反应气体为磷化氢气体，所述磷化氢气体的流量为50～100标况毫升/分钟。
2.如权利要求1所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述磷酸硅玻璃薄膜沉积的预步骤包括：
在反应腔体上形成含硅量高的氧化硅薄膜；
在含硅量高的氧化硅膜层上形成氧化硅薄膜；
在氧化硅膜层上形成含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜。
3.如权利要求2所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述含硅量高的氧化硅薄膜的折射率为1.5。
4.如权利要求2所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜的含磷量为5%～7%。
5.如权利要求2所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述含硅量高的氧化硅薄膜的沉积时间为75～100秒。
6.如权利要求2所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述氧化硅薄膜的沉积时间为75～100秒。
7.如权利要求2所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述含磷量高的磷酸硅玻璃薄膜的沉积时间为200～400秒。
8.如权利要求1所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述磷酸硅玻璃薄膜沉积8次为一个周期，所述磷酸硅玻璃薄膜沉积的周期在开始之前均要执行NF3腔体自清洗。
9.如权利要求8所述的磷酸硅玻璃薄膜的等离子体化学气相沉积方法，其特征在于，所述磷酸硅玻璃薄膜沉积的周期中对前面多片晶片进行沉积时间补偿。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
