[发明专利]卷对卷立式磁控镀膜装置

权利要求书

1.一种卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，包括：镀膜室，该镀膜室的一端连接设有一放卷室，该放卷室内设有辊轴为竖直方向设置的放卷辊和导向辊；镀膜室的另一端连接设有一收卷室，该收卷室设有辊轴为竖直方向设置的收卷辊和第一导向辊；所述镀膜室的侧壁上设置有磁控溅射靶，该磁控溅射靶的靶面为竖直方向设置，并与柔性基片所在面平行；所述放卷室与镀膜室、镀膜室与收卷室之间分别设有通过柔性基片的狭缝；所述放卷室、镀膜室、以及收卷室分别设有独立的抽气系统。

2.根据权利要求1所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述镀膜室包括：第一子镀膜室、第二子镀膜室；所述第一子镀膜室和第二子镀膜室之间连接设置一过渡室；

所述第一子镀膜室未与过渡室连接的一端连接所述放卷室，所述第二子镀膜室未与过渡室连接的一端连接所述收卷室；

所述放卷室与第一子镀膜室、第一子镀膜室与过渡室、过渡室与第二子镀膜室、第二子镀膜室与收卷室之间分别设有所述狭缝；

所述第一子镀膜室、过渡室、以及第二子镀膜室分别设置有独立的抽气系统。

3.根据权利要求2所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述第一子镀膜室包括：第一前子镀膜室、与第一前子镀膜室连接的第一后子镀膜室；所述第一前子镀膜室与第一后子镀膜室之间设有所述狭缝。

4.根据权利要求3所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述第一前子镀膜室和第一后子镀膜室的侧壁上分别设有至少一个所述磁控溅射靶。

5.根据权利要求4所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述第一前子镀膜室内的磁控溅射靶设置于左侧壁或右侧壁上；所述第一后子镀膜室内的磁控溅射靶设置于左侧壁或右侧壁上。

6.根据权利要求2所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述第二子镀膜室包括：第二前子镀膜室、与第二前子镀膜室连接的第二后子镀膜室；所述第二前子镀膜室与第二后子镀膜室之间设有所述狭缝。

7.根据权利要求6所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述第二前子镀膜室和第二后子镀膜室的侧壁上均设有至少一个所述磁控溅射靶。

8.根据权利要求7所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述第二前子镀膜室内的磁控溅射靶设置于左侧壁或右侧壁上，所述第二后子镀膜室内的磁控溅射靶设置于左侧壁或右侧壁上。

9.根据权利要求1至8任一项所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述放卷室与第一子镀膜室之间设有预处理室，该预处理室设有对柔性基片进行镀膜前预处理的离子轰击仪。

10.根据权利要求1至8任一项所述卷对卷立式磁控镀膜装置，其特征在于，所述收卷室与第二子镀膜室之间设有后处理室，该后处理室内设有对柔性基片膜层进行膜后处理的离子轰击仪。